[發明專利]晶片的加工方法

在審

• 申請號: 202010565062.2
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112216653A
• 公開（公告）日: 2021-01-12
• 發明（設計）人: 原田成規;松澤稔;木內逸人;淀良彰;荒川太朗;上里昌充;河村慧美子;藤井祐介;宮井俊輝;大前卷子
• 申請（專利權）人: 株式會社迪思科
• 主分類號: H01L21/78
• 分類號: H01L21/78;H01L21/67;H01L21/683
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 喬婉;于靖帥

提供晶片的加工方法，不降低品質而形成器件芯片。該晶片的加工方法將在由分割預定線劃分的正面的各區域內形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片，其中，該晶片的加工方法具有如下的工序：聚酯系片配設工序，將晶片定位于具有對晶片進行收納的開口的框架的該開口內，將聚酯系片配設在晶片的背面或正面上以及框架的外周上；一體化工序，對該聚酯系片進行加熱，通過熱壓接使晶片與該框架借助該聚酯系片而一體化；分割工序，沿著該分割預定線對該晶片照射對于該晶片具有透過性的波長的激光束，在該晶片中形成改質層，將該晶片分割成各個器件芯片；以及拾取工序，對該聚酯系片賦予超聲波，將器件芯片頂起，拾取該器件芯片。

技術領域

本發明涉及晶片的加工方法，將由分割預定線劃分而在正面的各區域內形成有多個器件的晶片分割成各個器件芯片。

背景技術

在用于移動電話或個人計算機等電子設備的器件芯片的制造工序中，首先在由半導體等材料構成的晶片的正面上設定多條交叉的分割預定線(間隔道)。并且，在由該分割預定線劃分的各區域內形成IC(Integrated Circuit：集成電路)、LSI(Large-ScaleIntegration circuit：大規模集成電路)、LED(Light Emitting Diode：發光二極管)等器件。

然后，將在具有開口的環狀的框架上按照封住該開口的方式粘貼的被稱為劃片帶的粘接帶粘貼于該晶片的背面或正面上，形成晶片、粘接帶以及環狀的框架成為一體而得的框架單元。并且，當沿著該分割預定線對框架單元所包含的晶片進行加工而分割時，形成各個器件芯片。

在晶片的分割中例如使用激光加工裝置。激光加工裝置具有隔著粘接帶而對晶片進行保持的卡盤工作臺以及將對于晶片具有透過性的波長的激光束會聚至該晶片的內部的激光加工單元等。

在對晶片進行分割時，將框架單元載置于卡盤工作臺上，隔著粘接帶而將晶片保持于卡盤工作臺。然后，一邊使卡盤工作臺和激光加工單元沿著與卡盤工作臺的上表面平行的方向相對移動，一邊從該激光加工單元沿著各分割預定線對晶片照射該激光束。當將該激光束會聚至晶片的內部時，形成作為分割起點的改質層(參照專利文獻1)。

然后，將框架單元從激光加工裝置搬出，當將粘接帶向徑向外側擴展時，將晶片分割而形成各個器件芯片。在從粘接帶拾取所形成的器件芯片時，預先實施對粘接帶照射紫外線等的處理而使粘接帶的粘接力降低。作為器件芯片的生產效率較高的加工裝置，已知有能夠利用一個裝置連續地實施晶片的分割和對粘接帶的紫外線照射的加工裝置(參照專利文獻2)。

專利文獻1：日本特許3408805號公報

專利文獻2：日本特許第3076179號公報

粘接帶例如包含由氯乙烯片等形成的基材層和配設在該基材層上的糊料層。在激光加工裝置中，為了在晶片的內部形成作為分割起點的改質層，將激光束會聚至晶片的內部，但該激光束的漏光的一部分到達粘接帶的糊料層。并且，由于激光束的照射所帶來的熱的影響，粘接帶的糊料層發生熔融，糊料層的一部分粘固在從晶片形成的器件芯片的背面側或正面側。

在該情況下，在從粘接帶拾取器件芯片時，即使實施對粘接帶照射紫外線等的處理，也會在所拾取的器件芯片的背面側或正面側殘留糊料層的該一部分。因此，器件芯片的品質降低成為問題。

發明內容

本發明是鑒于該問題點而完成的，其目的在于提供晶片的加工方法，不會在所形成的器件芯片的背面側或正面側附著糊料層，不會在器件芯片上產生由于糊料層的附著所導致的品質的降低。