[發明專利]5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組及移動終端

在審

• 申請號: 202010564837.4
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111786098A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 趙偉;侯張聚;唐小蘭;戴令亮;謝昱乾
• 申請（專利權）人: 深圳市信維通信股份有限公司
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01P7/10;H01Q1/22;H01Q1/24
• 代理公司: 深圳市博銳專利事務所 44275
• 代理人: 井曉奇

1.一種5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，包括陶瓷介質諧振器天線和PCB組件，所述陶瓷介質諧振器天線的形狀為H形；所述PCB組件包括依次層疊設置的第一介質層、金屬層和第二介質層，所述金屬層包括介質區域和天線區域，所述第一介質層設置于所述介質區域上，所述陶瓷介質諧振器天線設置于所述天線區域上，所述第一介質層上設有用于對陶瓷介質諧振器天線進行饋電的饋電結構。

2.根據權利要求1所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，所述第一介質層的介電常數大于所述第二介質層的介電常數。

3.根據權利要求1所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，所述陶瓷介質諧振器天線包括依次連接的第一平板部、連接部和第二平板部，所述第一平板部的寬度值與所述第二平板部的寬度值相等，所述連接部的寬度值小于所述第一平板部的寬度值。

4.根據權利要求3所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，所述第一平板部遠離連接部的一側面靠近所述第一介質層的一側面設置。

5.根據權利要求1所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，所述饋電結構包括饋電盤和饋電柱，所述饋電盤設置于所述第一介質層遠離金屬層的一側面上，所述饋電柱設置于所述第一介質層內，所述饋電盤與所述饋電柱電連接。

6.根據權利要求1所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，所述陶瓷介質諧振器天線的數目為至少兩個，至少兩個的所述陶瓷介質諧振器天線間隔設置于所述天線區域上。

7.根據權利要求1所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，還包括射頻芯片，所述射頻芯片設置于所述第二介質層遠離金屬層的一側面上。

8.根據權利要求1所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組，其特征在于，所述5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組的工作頻率范圍為24.25～29.5GHz以及37～40GHz。

9.一種移動終端，其特征在于，包括權利要求1-8任意一項所述的5G毫米波雙頻介質諧振器天線模組。

10.根據權利要求9所述的移動終端，其特征在于，所述移動終端為手機或平板電腦。