[發明專利]具有氣隙介電質的半導體結構及其制備方法

在審

• 申請號: 202010564797.3
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112397481A
• 公開（公告）日: 2021-02-23
• 發明（設計）人: 郭錦德
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 謝強;黃艷

1.一種半導體結構，包括：

一基板；

多個導電柱，設置于該基板之上；

多個介電柱，設置于該基板之上，且與所述多個導電柱分離；

多個介電蓋，設置于所述多個導電柱之上，且于所述多個介電柱分離；以及

一密封層，設置于所述多個介電柱和所述多個介電蓋之上。

2.如權利要求1所述的半導體結構，還包括多個氣隙，分別對應地位于所述多個導電柱和所述多個介電柱之間。

3.如權利要求1所述的半導體結構，其中該密封層的一底端低于所述多個介電柱的一頂端。

4.如權利要求1所述的半導體結構，其中該密封層的一底端高于所述多個介電蓋的一底端。

5.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述多個介電柱的一頂端高于所述多個介電蓋的一底端。

6.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述多個介電蓋的一寬度大于所述多個導電柱的一寬度。

7.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述多個導電柱之間的一距離大于所述多個介電蓋之間的一距離。

8.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述多個介電柱的一頂部寬度大于所述多個介電柱的一底部寬度。

9.如權利要求1所述的半導體結構，其中所述多個介電柱位于所述多個導電柱的一側上的一底部寬度不同于所述多個介電柱位于所述多個導電柱的另一側上的一底部寬度。

10.一種半導體結構的制備方法，包括：

形成多個復合柱于一基板之上，其中所述多個復合柱包括位于該基板之上的多個導電柱和位于所述多個導電柱之上的多個介電蓋；

形成多個間隔物于所述多個復合柱的側面；

形成多個介電柱于該基板之上和所述多個間隔物之間；

移除所述多個間隔物以暴露出所述多個導電柱的側壁部分；

將所述多個導電柱的側壁部分轉換為多個轉換部分；

移除所述多個轉換部分；以及

形成一密封層于所述多個介電柱和所述多個介電蓋之上。

11.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其中，在形成所述多個導電柱的所述多個轉換部分之前，所述多個導電柱的一側壁大致上與所述多個介電蓋的一側壁齊平。

12.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其中轉換所述多個導電柱的側壁部分的步驟還包括：

于所述多個導電柱上實施一熱處理工藝以形成所述多個轉換部分于所述多個導電柱的側壁部分之上，其中所述多個轉換部分的一材料不同于所述多個介電蓋的一材料。

13.如權利要求12所述的半導體結構的制備方法，其中該熱處理工藝為一氧化工藝或一氮化工藝，且所述多個轉換部分被所述多個介電蓋所覆蓋。

14.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其中該密封層覆蓋所述多個介電柱和所述多個介電蓋，使得一氣隙形成于所述多個介電蓋、所述多個導電柱、所述多個介電柱和該密封層之間。

15.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其中該密封層的一底端低于所述多個介電柱的一頂端。

16.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其中該密封層的一底端高于所述多個介電蓋的一底端。

17.如權利要求10所述的半導體結構的制備方法，其中所述多個介電柱的一頂端高于所述多個介電蓋的一底端。