[發明專利]半導體結構在審
| 申請號： | 202010564780.8 | 申請日： | 2020-06-19 |
| 公開（公告）號： | CN112151613A | 公開（公告）日： | 2020-12-29 |
| 發明（設計）人： | 翁翊軒;李威養;楊豐誠;陳燕銘 | 申請（專利權）人： | 臺灣積體電路制造股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/78 | 分類號： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336 |
| 代理公司： | 隆天知識產權代理有限公司 72003 | 代理人： | 黃艷 |
| 地址： | 中國臺*** | 國省代碼： | 臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體結構，包括：
多個半導體層的堆疊，位于一基板上；
多個高介電常數的介電層與金屬柵極結構的堆疊，交錯于所述半導體層的堆疊之間；
一介電內側間隔物，位于所述高介電常數的介電層與金屬柵極結構的每一者的側壁上，其中該介電內側間隔物包括一第一層位于所述高介電常數的介電層與金屬柵極結構的每一者的側壁上，以及一第二層位于該第一層上，且其中該第一層與該第二層的組成不同；以及
一外延的源極/漏極結構，與所述高介電常數的介電層與金屬柵極結構的堆疊相鄰，其中該介電內側間隔物的該第二層埋置于該外延的源極/漏極結構中。
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