[發(fā)明專利]具有改善柵極漏電流的半導(dǎo)體器件

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010564680.5
• 申請(qǐng)日: 2020-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111682066A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 廖航;趙起越;李長(zhǎng)安;王超;周春華;黃敬源
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 英諾賽科（珠海）科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L29/778
• 分類號(hào): H01L29/778;H01L29/47;H01L29/423;H01L29/06;H01L21/335
• 代理公司: 北京律盟知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11287
• 代理人: 王允方

1.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

襯底(2)；

第一氮化物半導(dǎo)體層(4)，位于所述襯底上方；

第二氮化物半導(dǎo)體層(5)，位于所述第一氮化物半導(dǎo)體層上方且具有大于所述第一氮化物半導(dǎo)體者的能隙(energy band gap)；

源極接觸及漏極接觸，位于所述第二氮化物半導(dǎo)體層上方；及

經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層(8)，位于所述第二氮化物半導(dǎo)體層上方及所述漏極接觸和所述源極接觸之間，所述經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層具有鄰近所述源極接觸的第一側(cè)壁(81a)﹑鄰近所述漏極接觸的第二側(cè)壁(82)，及在大體上平行于所述第一氮化物半導(dǎo)體層及所述第二氮化物半導(dǎo)體層介面的方向上，位于所述第一側(cè)壁及所述第二側(cè)壁之間的第三側(cè)壁(81b)；

及

柵電極，位于所述經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層上方。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述方向上，所述第三側(cè)壁位于所述第一側(cè)壁與所述柵電極之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中在垂直于所述方向上，所述第三側(cè)壁與所述第一側(cè)壁的高度比為0.5至2。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述方向上，所述柵電極到所述第一側(cè)壁的最短距離與所述柵電極到所述第二側(cè)壁的最短距離比大于1。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述方向上，所述第三側(cè)壁位于所述柵電極與所述第二側(cè)壁之間。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中在垂直于所述方向上，所述第三側(cè)壁與所述第二側(cè)壁的高度比為0.5至2。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述方向上，所述柵電極到所述第二側(cè)壁的最短距離與所述柵電極到所述第一側(cè)壁的最短距離比大于1。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述第一側(cè)壁、第二側(cè)壁或第三側(cè)壁的任一切面與所述方向的夾角為30至150°。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其中所述經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層另具有不同于第三側(cè)壁的第四側(cè)壁，所述第四側(cè)壁在所述方向上，位于所述第一側(cè)壁與所述第二側(cè)壁之間。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，還包括鈍化層，位于至少部分地所述第二氮化物半導(dǎo)體層上方及至少部分地所述經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層上方，其中所述鈍化層與所述第三側(cè)壁直接接觸。

11.一種半導(dǎo)體裝置，包含：

襯底；

第一氮化物半導(dǎo)體層，位于所述襯底上方；

第二氮化物半導(dǎo)體層，位于所述第一氮化物半導(dǎo)體層上方且具有大于所述第一氮化物半導(dǎo)體者的能隙(energy band gap)；及

源極接觸及漏極接觸，位于所述第二氮化物半導(dǎo)體層上方；及

經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層，位于所述第二氮化物半導(dǎo)體層上方及所述漏極接觸和所述源極接觸之間；

及

柵電極，位于所述經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層上方；

其中所述經(jīng)摻雜第三氮化物半導(dǎo)體層具有與所述柵電極接觸的第一表面(84)、與所述第二氮化物半導(dǎo)體層接觸的第二表面(85)、及在大體上垂直于所述第一氮化物半導(dǎo)體層及所述第二氮化物半導(dǎo)體層介面的第一方向上，位于所述第一表面及所述第二表面之間的第三表面(86)，所述第三表面在大體上平行于所述第一氮化物半導(dǎo)體層及所述第二氮化物半導(dǎo)體層介面的第二方向上延伸。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述第二方向上，所述第三表面位于所述源極與所述柵電極之間或位于所述柵電極與所述漏極之間。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體裝置，其中在所述第二方向上，所述第三表面的正射影范圍與所述第一表面的正射影范圍重疊。