[發明專利]一種噪聲循環的LC壓控振蕩器電路

有效

• 申請號: 202010564508.X
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111628725B
• 公開（公告）日: 2022-11-01
• 發明（設計）人: 吉新村;沈夢琪;張憲偉;郭宇鋒
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H03B5/12
• 分類號: H03B5/12;H03L7/099
• 代理公司: 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224
• 代理人: 何春廷

本發明公開了一種噪聲循環的LC壓控振蕩器電路，包括諧振器電路、噪聲循環的有源核心電路；所述諧振器電路，由電感、電容和電阻構成，保證振蕩器起振；所述噪聲循環的有源核心電路，用于抵消諧振器電路中無源器件產生的電阻損耗，使振蕩器可以穩定工作。優點：本電路同時省去尾電流源，從而避免電流源閃爍噪聲對相位噪聲的影響，同時降低壓控振蕩器的功耗。與傳統的交叉耦合壓控振蕩器相比，在本電路中，使用了噪聲循環的有源核心極大的抑制了有源器件的有效噪聲功率，提供了相同的負阻，具有高頻率且相位噪聲得到了改善。

技術領域

本發明涉及一種噪聲循環的LC壓控振蕩器電路，屬于微電子技術領域。

背景技術

在SOC片上系統中都需要設計鎖相環電路來為系統提供一個時鐘頻率。傳統應用于SOC片上系統的鎖相環功耗、面積大，相位噪聲差，壓控振蕩器是鎖相環的核心部分，低功耗、小面積，相位噪聲好的振蕩器電路具有重要價值。

發明內容

本發明所要解決的技術問題是克服現有技術的缺陷，提供一種噪聲循環的LC壓控振蕩器電路。

為解決上述技術問題，本發明提供一種噪聲循環的LC壓控振蕩器電路，包括諧振器電路、噪聲循環的有源核心電路；

所述諧振電路，用于通過電感、電容和電阻構成的電路保證振蕩器起振；

所述噪聲循環的有源核心電路，用于抵消諧振器電路中無源器件產生的電阻損耗。

進一步的，所述諧振電路包括電容C2、C3，可變電容C4、C5，電感L，電阻R3、R4；

其中電容C2、可變電容C4、可變電容C5、電容C3之間依次串聯為串聯電路，串聯電路的一端分別連接電感L的VCOP端和噪聲循環的有源核心電路，串聯電路的另一端分別連接電感L的VCON端和噪聲循環的有源核心電路；

所述電阻R3的一端接電容C2和可變電容C4相連的部分；所述電阻R4的一端接電容C3和可變電容C5相連的部分；電阻R3的另一端和電阻R4的另一端相連。

進一步的，所述可變電容C4、C5的中間接控制電壓Vc。

進一步的，所述電感L的輸入端接電源V_DD。

進一步的，所述電阻R3的另一端和電阻R4的另一端相連并接地。

進一步的，所述噪聲循環的有源核心電路包括NMOS交叉耦合對M0和M1、電容C0、C1、電阻R0、R1以及PMOS管M2、M3；

NMOS管M0的柵極分別與電容C1的一端、NMOS管M1的漏極以及所述串聯電路的另一端相連，電容C1的另一端分別與PMOS管M3的柵極和電阻R1的一端相連，電阻R1的另一端接地；NMOS管M0的源極與PMOS管M2的源極相連，PMOS管M2的漏極接地；

NMOS管M1的柵極與電容C0的一端、NMOS管M0的漏極以及所述串聯電路的一端相連，電容C0的另一端分別與PMOS管M2的柵極和電阻R0的一端相連，電阻R0的另一端接地；NMOS管M1的源極與PMOS管M3的源極相連，PMOS管M3的漏極接地。

本發明所達到的有益效果：

本電路同時省去尾電流源，從而避免電流源閃爍噪聲對相位噪聲的影響，同時降低壓控振蕩器的功耗。與傳統的交叉耦合的壓控振蕩器相比，在本電路中，使用了噪聲循環的有源核心極大的抑制了有源器件的有效噪聲功率，提供了相同的負阻，具有高頻率且相位噪聲得到了改善。

附圖說明

圖1是本發明的電路框圖；

圖2是本發明采用的中心抽頭電感電路模型。

具體實施方式