[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制備方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010564427.X
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN111679454B
• 公開（公告）日: 2023-07-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 何來勝;朱繼光
• 申請（專利權(quán)）人: 聯(lián)合微電子中心有限責(zé)任公司
• 主分類號: G02F1/01
• 分類號: G02F1/01
• 代理公司: 上海盈盛知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31294
• 代理人: 孫佳胤

1.一種半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

提供襯底，且所述襯底上表面形成有波導(dǎo)；

在所述波導(dǎo)上方形成覆蓋所述波導(dǎo)的介質(zhì)層；

在所述波導(dǎo)上方依次形成加熱層、電極層和抗反射層，且所述加熱層、所述電極層和所述抗反射層在同一腔室內(nèi)的一次沉積工序中形成；

圖形化所述抗反射層及所述電極層，包括：在所述抗反射層上表面形成圖形化的第一掩膜層，從所述抗反射層外露的上表面向下刻蝕，穿過所述電極層，直至暴露所述加熱層的上表面，以形成至少兩個(gè)分立的抗反射結(jié)構(gòu)及電極；

圖形化所述加熱層，包括：在所述加熱層上表面形成圖形化的第二掩膜層，所述第二掩膜層覆蓋所述抗反射結(jié)構(gòu)及所述電極，從所述加熱層外露的上表面沿垂直所述襯底上表面向下的方向刻蝕，直至暴露所述介質(zhì)層的上表面，以形成加熱裝置；

形成覆蓋所述抗反射結(jié)構(gòu)、所述電極和加熱裝置的鈍化層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，使用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積中的至少一種來形成所述加熱層和電極層，且所述加熱層包括TiN層和W層中的至少一種，所述電極層包括Al層、AlCu層和AlSiCu層中的至少一種。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，使用化學(xué)氣相沉積、物理氣相沉積或原子層沉積中的至少一種來形成所述鈍化層，所述鈍化層包括二氧化硅層和氮化硅層中的至少一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，采用干法和濕法刻蝕來圖形化所述電極層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

對所述介質(zhì)層進(jìn)行化學(xué)機(jī)械研磨，使得所述介質(zhì)層上表面平行于所述襯底上表面。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制備方法，其特征在于，還包括以下步驟：

在所述鈍化層的上表面開設(shè)通孔以暴露所述電極。