[發明專利]襯底處理裝置中的等離子體

在審

• 申請號: 202010564372.2
• 申請日: 2020-06-19
• 公開（公告）號: CN112126914A
• 公開（公告）日: 2020-12-25
• 發明（設計）人: N·霍爾姆;鈴木俊哉
• 申請（專利權）人: 皮考遜公司
• 主分類號: C23C16/455
• 分類號: C23C16/455;C23C16/50
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 馬明月

1.一種方法，包括：

經由等離子體進料線(115)，將等離子體物質引入到在襯底處理裝置(100)中的針對沉積目標(160)的反應室(130)中，其中所述等離子體進料線(115)經過等離子體形成區(1420)；以及

通過在所述等離子體形成區(1420)下游的收縮部(112)，將在所述等離子體進料線內的等離子體物質的速度加速。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述收縮部(112)將所述進料線(115)的截面流動面積減小至少8％。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其中進入所述等離子體形成區(1420)的等離子體氣體的流動速率在從500sccm至10000sccm的范圍內、優選地在從4000sccm至10000sccm的范圍內。

4.根據前述權利要求中任一項所述的方法，其中在如下范圍內的等離子體功率被應用到所述等離子體形成區(1420)：在從10W至10000W的范圍內、優選地在從300W至1000W的范圍內、更優選地在從300W至500W的范圍內，或者在從1000W至10000W的范圍內、優選地在從2000W至10000W的范圍內、更優選地在從3000W至10000W的范圍內。

5.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中具有在從0.1秒至60秒的范圍內的持續時間的等離子體形成時段被應用。

6.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，其中具有在如下范圍內的持續時間的非等離子體前驅體的清洗時段被應用：在從1秒至8秒的范圍內、優選地在從4秒至8秒的范圍內。

7.根據權利要求1或2所述的方法，其中進入所述等離子體形成區(1420)的等離子體氣體的流動速率在從500sccm至10000sccm的范圍內，在從10W至10000W的范圍內的等離子體功率被應用到所述等離子體形成區(1420)，具有在從0.1秒至60秒的范圍內的持續時間的等離子體形成時段被應用，并且具有在從1秒至8秒的范圍內的持續時間的非等離子體前驅體的清洗時段被應用。

8.根據權利要求1或2所述的方法，其中進入所述等離子體形成區(1420)的等離子體氣體的流動速率在從4000sccm至10000sccm的范圍內，在從300W至1000W的范圍內的、優選地在從300W至500W的范圍內的等離子體功率被應用到所述等離子體形成區(1420)，在從5秒至10秒的范圍內的持續時間的等離子體形成時段被應用，并且在從4秒至8秒的范圍內的持續時間的非等離子體前驅體的清洗時段被應用。

9.根據權利要求1或2所述的方法，其中進入所述等離子體形成區(1420)的等離子體氣體的流動速率在從4000sccm至10000sccm的范圍內，在從1000W至10000W的范圍內的、優選地在從2000W至10000W的范圍內的、更優選地在從3000W至10000W范圍內的等離子體功率被應用到所述等離子體形成區(1420)，具有在從20秒至40秒的范圍內的持續時間的等離子體形成時段被應用，并且具有在從4秒至8秒的范圍內的持續時間的非等離子體前驅體的清洗時段被應用。

10.根據前述權利要求中的任一項所述的方法，包括：將所述收縮部提供為收斂噴嘴(112')或收斂-發散噴嘴(112”)。

11.一種襯底處理裝置(100)，包括：

反應室(130)；

等離子體進料線(115)，用以將等離子體物質引入到針對沉積目標(160)的反應室(130)中，其中

所述等離子體進料線(115)經過等離子體形成區；并且

所述等離子體進料線(115)包括在所述等離子體形成區的下游的收縮部(112)，用以將等離子體物質的速度加速。