[發明專利]一種預測拆分后圖形密度的方法在審
| 申請號: | 202010564354.4 | 申請日: | 2020-06-19 |
| 公開(公告)號: | CN111781798A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 王丹;于世瑞 | 申請(專利權)人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/36 | 分類號: | G03F1/36;G03F7/20 |
| 代理公司: | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人: | 戴廣志 |
| 地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 預測 拆分 圖形 密度 方法 | ||
本發明提供一種預測拆分后圖形密度的方法,本發明對原始版圖和冗余圖形在拆分前分別增加補值,并在增加補值后對原始版圖和冗余圖形進行雙重圖形拆分,之后再對拆分后的原始版圖和冗余圖形作常規OPC處理,本發明可以更準確預測拆分后的圖形密度,拆分后兩張光罩的圖形密度更加接近。
技術領域
本發明涉及半導體領域,特別是涉及一種預測拆分后圖形密度的方法。
背景技術
雙重圖形拆分是基于原始版圖和冗余圖形,并可以實現拆分后兩層圖形中原始版圖和冗余圖形的圖形密度基本一致。但是由于采用雙重圖形技術的層次一般都有比較大的刻蝕偏移量,原始版圖和冗余圖形的圖形密度不能準確反應刻蝕前的圖形密度。
因此,需要提出一種新的預測拆分后圖形密度的方法來解決上述問題。
發明內容
鑒于以上所述現有技術的缺點,本發明的目的在于提供一種預測拆分后圖形密度的方法,用于解決現有技術中原始版圖和冗余圖形的圖形密度不能準確反應刻蝕之前的圖形密度的問題。
為實現上述目的及其他相關目的,本發明提供一種預測拆分后圖形密度的方法,該方法至少包括以下步驟:
步驟一、提供原始版圖和冗余圖形,將所述原始版圖拆分為第一層原始版圖和第二層原始版圖;將所述冗余圖形拆分為第一層冗余圖形和第二層冗余圖形;
步驟二、分別計算所述第一層原始版圖、第二層原始版圖以及第一層冗余圖形和第二層冗余圖形的圖形密度;
步驟三、對所述原始版圖和所述冗余圖形分別增加補值,分別得到補值后的原始版圖和補值后的冗余圖形;
步驟四、將所述補值后的原始版圖拆分為補值后第一層原始版圖和補值后第二層原始版圖;將所述補值后的冗余圖形拆分為補值后第一層冗余圖形和補值后第二層冗余圖形;
步驟五、分別計算所述補值后第一層原始版圖、補值后第二層原始版圖以及補值后第一層冗余圖形、補值后第二層冗余圖形的圖形密度;
步驟六、對比所述第一層原始版圖的圖形密度和所述補值后第一層原始版圖的圖形密度并計算差值;對比所述第二層原始版圖的圖形密度和所述補值后第二層原始版圖的圖形密度并計算差值;對比所述第一層冗余圖形的圖形密度和所述補值后第一層冗余圖形的圖形密度并計算差值;對比所述第二層冗余圖形的圖形密度和所述補值后第二層冗余圖形的圖形密度并計算差值;若其中任意一項的差值大于1%,則以所述補值后第一層、第二層原始版圖圖形密度以及補值后第一層、第二層冗余圖形圖形密度作為所述拆分后圖形密度。
優選地,該方法還包括步驟七、對拆分后得到的所述第一、第二層原始版圖和第一、第二層冗余圖形作常規OPC修正。
優選地,步驟三中對所述原始版圖增加補值的方法為:將所述原始版圖中的圖形按邊長值分為兩類,并分別增加補值;步驟三中對所述冗余圖形增加補值的方法為:將所述冗余圖形按邊長值分為兩類,并分別增加補值。
優選地,將所述原始版圖中的圖形按邊長值分為第一類和第二類,其中第一類的圖形邊長大于或等于所述原始版圖最小設計規則的2.5倍;所述第二類的圖形邊長小于所述原始版圖最小設計規則的2.5倍。
優選地,將冗余圖形按邊長值分為第一類和第二類,其中第一類的圖形邊長大于或等于所述冗余圖形最小設計規則的2.5倍;所述第二類的圖形邊長小于所述冗余圖形最小設計規則的2.5倍。
優選地,所述原始版圖中的第一類圖形根據線寬區間和間距區間的不同,增加補值不同;所述原始版圖中的第二類圖形根據圖形長度區間和間距區間的不同,增加補值不同。
優選地,所述冗余圖形的第一類圖形根據偽線寬區間和偽間距區間的不同,增加補值不同;所述冗余圖形中的第二類圖形根據圖形偽長度區間和偽間距區間的不同,增加補值不同。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





