[發明專利]光接收元件、成像元件和成像裝置

在審

• 申請號: 202010562389.4
• 申請日: 2018-01-05
• 公開（公告）號: CN111830527A
• 公開（公告）日: 2020-10-27
• 發明（設計）人: 佐野拓也
• 申請（專利權）人: 索尼半導體解決方案公司
• 主分類號: G01S17/89
• 分類號: G01S17/89;G01S7/481;H04N5/374;H01L27/146
• 代理公司: 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290
• 代理人: 梁興龍;曹正建

1.一種光接收元件，包括：

片上透鏡；

多層配線層；

配置在所述片上透鏡和所述多層配線層之間的半導體層；

設置在所述半導體層中的光電轉換區域；

構造成將第一電壓施加到所述半導體層的第一電壓施加部，第一電壓施加部設置在所述半導體層中；

構造成將第二電壓施加到所述半導體層的第二電壓施加部，第二電壓施加部設置在所述半導體層中；

構造成檢測在所述光電轉換區域中生成的載流子的第一電荷檢測部，第一電荷檢測部在所述半導體層中設置成與第一電壓施加部相鄰；

構造成檢測在所述光電轉換區域中生成的載流子的第二電荷檢測部，第二電荷檢測部在所述半導體層中設置成與第二電壓施加部相鄰；

設置在所述多層配線層中的第一配線層；

與第一電壓施加部連接并且設置在第一配線層中的第一配線；

與第二電壓施加部連接并且設置在第一配線層中的第二配線；和

設置在第一配線層中的反射構件。

2.根據權利要求1所述的光接收元件，其中所述反射構件至少部分地與第一電荷檢測部和第二電荷檢測部中的至少一個重疊。

3.根據權利要求1所述的光接收元件，還包括設置在第一配線層中的多個反射構件，其中在所述多個反射構件中包含的第一反射構件至少部分地與第一電荷檢測部重疊，并且其中在所述多個反射構件中包含的第二反射構件至少部分地與第二電荷檢測部重疊。

4.根據權利要求1所述的光接收元件，其中所述反射構件包括金屬膜。

5.根據權利要求1所述的光接收元件，其中所述反射構件對稱地配置在第一電荷檢測部側的區域和第二電荷檢測部側的區域中。

6.根據權利要求1所述的光接收元件，其中所述反射構件僅配置在像素中心區域中。

7.根據權利要求1所述的光接收元件，其中第一電壓施加部、第二電壓施加部、第一電荷檢測部和第二電荷檢測部與所述多層配線層接觸。

8.根據權利要求1所述的光接收元件，其中具有第一配線、第二配線和所述反射構件的第一配線層被包括在最靠近所述半導體層的層中。

9.根據權利要求1所述的光接收元件，其中第一電壓施加部或第二電壓施加部包括：

在所述配線層側的包含第一雜質濃度的受主元素的第一區域，和

在所述片上透鏡側的包含低于第一雜質濃度的第二雜質濃度的受主元素的第二區域。

10.根據權利要求9所述的光接收元件，其中第一電荷檢測部或第二電荷檢測部包括：

在所述配線層側的包含第三雜質濃度的施主元素的第三區域，和

在所述片上透鏡側的包含低于第三雜質濃度的第二雜質濃度的施主元素的第四區域。

11.一種光接收元件，包括：

片上透鏡；

多層配線層；

配置在所述片上透鏡和所述多層配線層之間的半導體層；

構造成將第一電壓施加到所述半導體層的第一電壓施加部；

構造成將第二電壓施加到所述半導體層的第二電壓施加部；

設置成與第一電壓施加部相鄰的第一電荷檢測部；

所述半導體層中設置成與第二電壓施加部相鄰的第二電荷檢測部；

設置在所述多層配線層中的第一配線層；

與第一電壓施加部連接并且設置在第一配線層中的第一配線；

與第二電壓施加部連接并且設置在第一配線層中的第二配線；和

設置在第一配線層中的反射構件。

12.根據權利要求11所述的光接收元件，其中所述反射構件至少部分地與第一電荷檢測部和第二電荷檢測部中的至少一個重疊。