[發明專利]一種用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法

有效

• 申請號: 202010562314.6
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111769078B
• 公開（公告）日: 2022-04-12
• 發明（設計）人: 朱寶;陳琳;孫清清;張衛
• 申請（專利權）人: 復旦大學;上海集成電路制造創新中心有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/48
• 代理公司: 上海正旦專利代理有限公司 31200
• 代理人: 陸飛;陸尤

1.一種用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，具體步驟為：

在硅襯底（200）表面形成犧牲層（201），而后在所述犧牲層（201）上外延生長Si材料（202），在所述Si材料（202）表面形成第三絕緣介質（203）、籽晶層（204），并粘附第一載體（205）；選擇性腐蝕所述犧牲層（201），使所述Si材料（202）與所述硅襯底（200）分離，并將Si材料（202）作為基底；

光刻、刻蝕所述Si材料（202），形成硅通孔；

在所述硅通孔的側壁和所述基底的下表面依次沉積第一絕緣介質（206）、擴散阻擋層（207），光刻、刻蝕去除所述硅通孔頂部的第三絕緣介質（203）；

形成導電金屬（208），使其完全填充所述硅通孔；沉積一層介質薄膜（209），作為第二絕緣介質層；隨后，去除導電金屬（208）表面的介質薄膜（209）；

在所述導電金屬（208）底部形成粘附層/種子層疊層薄膜（210），并在所述疊層薄膜上形成C4凸點（211）；在所述基底下方粘合第二載體（212），然后去除所述基底上方的所述籽晶層（204）和所述第一載體（205），在所述導電金屬（208）頂部形成粘附層/種子層疊層薄膜（213），并在所述疊層薄膜上形成微凸點（214）；

去除所述第二載體（212）。

2. 根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述Si材料的厚度為5~50 μm。

3.根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述犧牲層為SiGe、SiC、GaAs、InP、AlGaAs中的任一種，或其中幾種的組合。

4. 根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述犧牲層的厚度為1~5 μm。

5.根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述導電金屬為Cu。

6.根據權利要求5所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述籽晶層為Cu、Ru、Co、CuRu合金、CuCo合金中的至少一種。

7.根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述擴散阻擋層為TaN、TiN、ZrN、MnSiO₃中的至少一種。

8.根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述第一絕緣介質為SiO₂、Si₃N₄、SiON、SiCOH、SiCOFH中的至少一種。

9.根據權利要求1所述的用于系統級封裝的TSV無源轉接板制備方法，其特征在于，所述第二絕緣介質、所述第三絕緣介質為Si₃N₄、SiON、SiC中的至少一種。