[發明專利]光聲氣體傳感器和壓力傳感器在審
| 申請號: | 202010561831.1 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN112113910A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發明(設計)人: | J·曼茲;C·格拉策;D·圖姆波德 | 申請(專利權)人: | 英飛凌科技股份有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/17 | 分類號: | G01N21/17;G01L9/12 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 張昊 |
| 地址: | 德國諾伊*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 聲氣 傳感器 壓力傳感器 | ||
1.一種MEMS光聲氣體傳感器,包括:
第一膜(141);
第二膜(142),與所述第一膜(141)相對并且通過感測體積(16)與所述第一膜(141)隔開;以及
電磁源(22),與所述感測體積(16)通信。
2.根據權利要求1所述的傳感器,其中所述第一膜(141)設置在所述感測體積(16)與第一體積(18)之間,并且所述第二膜(142)設置在所述感測體積(16)與第三體積(28)之間。
3.根據權利要求2所述的傳感器,其中所述第一體積(18)是前體積,并且所述第三體積(28)是后體積;或者其中所述第一體積(18)是后體積,并且所述第三體積(28)是前體積。
4.根據權利要求3所述的傳感器,其中選擇所述第一膜(141)的第一剛度和所述第二膜(142)的第二剛度,使得從所述前體積(18)傳播通過所述感測體積(16)到達所述后體積(28)的聲學信號(28)引起所述第一膜(141)和所述第二膜(142)在公差范圍內的相同幅度的偏轉。
5.根據權利要求2至4中任一項所述的傳感器,其中所述第一膜(141)包括與所述第一體積(18)和所述感測體積(16)流體耦合的至少一個第一開口(361),并且所述第二膜(142)包括與所述第三體積(28)和所述感測體積(16)流體耦合的至少一個第二開口(363)。
6.根據權利要求5所述的傳感器,其中所述至少一個第一開口(361)和所述至少一個第二開口(363)的大小均被確定用于阻擋聲頻,并且被實施為與所述第一體積(18)和所述感測體積(16)流體耦合,以便允許氣體分子的傳輸。
7.根據權利要求1至6中任一項所述的傳感器,還包括:背板(44),設置在所述第一膜(141)和所述第二膜(142)之間并且與所述第一膜(141)和所述第二膜(142)隔開。
8.根據權利要求1至7中任一項所述的傳感器,還包括:一個或多個連接件(48),機械地耦合在所述第一膜(141)和所述第二膜(142)之間。
9.根據權利要求8所述的傳感器,其中所述一個或多個連接件(48)是導電的。
10.根據權利要求8所述的傳感器,其中所述一個或多個連接件(48)是電絕緣的。
11.根據權利要求7至10中任一項所述的傳感器,其中所述一個或多個連接件(48)將所述感測體積(16)劃分為多個部分感測體積(16a-16d),所述電磁源(22)被配置為引起所述第一膜(141)和所述第二膜(142)在相鄰的部分感測體積中的交替彎曲。
12.根據權利要求1至10中任一項所述的傳感器,其中所述第一膜(141)被半導體襯底(12)支撐,所述半導體襯底(12)中具有開口(38),所述第一膜(141)上覆所述開口(38)。
13.根據權利要求12所述的傳感器,其中所述電磁源(22)被所述半導體襯底(12)支撐。
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