[發(fā)明專利]包括存儲器控制器和電源管理電路的裝置及其操作方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010561613.8
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN112530481A
• 公開（公告）日: 2021-03-19
• 發(fā)明（設計）人: 秦龍;金潤珍;安仲炫
• 申請（專利權）人: 愛思開海力士有限公司
• 主分類號: G11C5/14
• 分類號: G11C5/14;G11C16/30;G06F3/06
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩;張瀾

本申請涉及一種存儲器控制器，該存儲器控制器基于包括在輔助電源裝置中的多個輔助電源單元中的每一個的充電計數信息，來控制充電計數較小、待被優(yōu)先充電的輔助電源單元，該輔助電源裝置向存儲器裝置和存儲器控制器提供電源。

相關申請的交叉引用

本申請要求于2019年9月19日提交的申請?zhí)枮?0-2019-0115362的韓國專利申請的優(yōu)先權，該韓國專利申請的全部公開內容通過引用整體并入本文。

技術領域

本公開涉及一種電子裝置，更具體地，涉及一種包括存儲器控制器、存儲器裝置以及電源管理電路的存儲裝置及其操作方法。

背景技術

存儲裝置是存儲數據的裝置。存儲裝置包括其中存儲數據的存儲器裝置以及控制存儲器裝置的存儲器控制器。存儲器裝置(半導體存儲器裝置)是使用諸如硅(Si)、鍺(Ge)、砷化鎵(GaAs)或磷化銦(InP)的半導體實現的存儲器裝置。存儲器裝置主要分為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。

易失性存儲器裝置是當其電源被切斷時丟失所存儲數據的存儲器裝置。易失性存儲器裝置包括靜態(tài)RAM(SRAM)、動態(tài)RAM(DRAM)、同步DRAM(SDRAM)等。非易失性存儲器裝置是即使其電源被切斷也保留所存儲數據的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置包括只讀存儲器(ROM)、可編程ROM(PROM)、電可編程ROM(EPROM)、電可擦除可編程ROM(EEPROM)、閃速存儲器、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻RAM(RRAM)、鐵電RAM(FRAM)等。閃速存儲器主要分為NOR型和NAND型。

存儲裝置可包括輔助電源裝置，該輔助電源裝置可在有限時間內提供電源，以確保存儲在存儲裝置中的數據的可靠性。

發(fā)明內容

本公開的實施例提供一種存儲裝置以及操作該存儲裝置的方法，該存儲裝置包括存儲器控制器、存儲器裝置和電源管理電路并且具有提高的可靠性。

根據本公開的實施例，一種存儲器控制器，該存儲器控制器控制存儲器裝置的操作，該存儲器控制器可包括輔助電源單元信息存儲裝置以及輔助電源單元控制器，該輔助電源單元信息存儲裝置包括輔助電源裝置中包括的多個輔助電源單元中的每一個的充電計數信息，該輔助電源裝置向存儲器裝置和存儲器控制器提供輔助電源，該輔助電源為主電源的替代物，并且該輔助電源單元控制器配置成控制多個輔助電源單元的充電，使得多個輔助電源單元的各自充電計數之間的差異最小化。

根據本公開的實施例，一種存儲裝置可包括：包括多個存儲塊的存儲器裝置；配置成控制存儲器裝置的操作的存儲器控制器；以及配置成向存儲器裝置和存儲器控制器提供電源的電源管理電路。電源管理電路可包括：電源控制器，配置成從電源管理電路的外部接收主電源；以及輔助電源裝置，包括多個輔助電源單元。存儲器控制器可獲得存儲在多個存儲塊中的至少一個存儲塊中的輔助電源單元信息，并且控制輔助電源裝置，使得對被選擇輔助電源單元被充電，并且不對未選擇輔助電源單元充電，該被選擇輔助電源單元是基于包括在輔助電源單元信息中的、多個輔助電源單元的充電計數信息來確定的。

根據本公開的實施例，一種操作存儲器控制器的方法，該存儲器控制器控制存儲器裝置的操作，該方法可包括：獲得分別與多個輔助電源單元中的每一個相對應的充電計數，多個輔助電源單元配置成向存儲器裝置和存儲器控制器提供輔助電源；基于充電計數，從多個輔助電源單元之中確定預定數量的被選擇輔助電源單元，被選擇輔助電源單元為待充電的輔助電源單元。

根據本技術的實施例，提供了一種存儲裝置及其操作方法，該存儲裝置包括存儲器控制器、存儲器裝置以及電源管理電路并且具有提高的可靠性。

附圖說明

圖1示出根據本公開的實施例的包括存儲器控制器的存儲裝置。

圖2示出圖1的電源管理電路的配置。

圖3示出了根據實施例的包括在輔助電源裝置中的輔助電源單元。