[發明專利]LED芯片結構

在審

• 申請號: 202010560042.6
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111640831A
• 公開（公告）日: 2020-09-08
• 發明（設計）人: 周啟航
• 申請（專利權）人: 佛山紫熙慧眾科技有限公司
• 主分類號: H01L33/20
• 分類號: H01L33/20
• 代理公司: 佛山市海融科創知識產權代理事務所(普通合伙) 44377
• 代理人: 陳志超;黃家豪

本申請實施例提供了一種LED芯片結構，包括：一襯底，其包括第一襯底部以及第二襯底部，所述第一襯底部的第一側壁面與下表面垂直，所述第二襯底部設置于所述第一襯底部的下表面上，所述第二襯底部的第二側壁面相對于所述下表面的法線向內傾斜；發光功能層，其設置于所述第二襯底部的遠離第一襯底部的一面上。本申請實施例提供的LED芯片結構通過將襯底的第二襯底部的第二側壁面設置為傾斜面，從而減小了LED芯片結構的側面發光的比例，可以提高正面出光率，提高光利用率。

技術領域

本申請涉及LED發光技術領域，具體而言，涉及一種LED芯片結構。

背景技術

對于具有透明襯底的LED芯片，諸如，具有藍寶石(α相Al2O3)生長襯底的GaN基藍光(B)、綠光(G)和紫外(UV)LED芯片，以及具有磷化鎵(GaP)或藍寶石等襯底的紅光(R)、黃光(Y)或紅外(IR)LED芯片；由于透明襯底作為LED芯片的窗口層，透明襯底相對于LED發光層而言具有膠厚的尺寸，會有一定比例的光從倒裝芯片側面出射，同時由于透明襯底材料的折射率一般介于LED發光材料和空氣折射率之間，透明襯底與空氣較小的折射率差允許光線具有更大出射角度的逃逸錐，所以傳統倒裝LED芯片相對于正裝LED芯片而言具有更大的發光角度。但是，其會導致正面出光比例相對較低，影響光利用率。

針對上述問題，目前尚未有有效的技術解決方案。

發明內容

本申請實施例的目的在于提供一種LED芯片結構，可以提高LED器件的光輸出功率和可靠性，減小了LED芯片結構的側面發光的比例，可以提高正面出光率，提高光利用率。

第一方面，本申請實施例提供了一種LED芯片結構，包括：

一襯底，其包括第一襯底部以及第二襯底部，所述第一襯底部的第一側壁面與下表面垂直，所述第二襯底部設置于所述第一襯底部的下表面上，所述第二襯底部的第二側壁面相對于所述下表面的法線向內傾斜；

發光功能層，其設置于所述第二襯底部的遠離第一襯底部的一面上。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述第一側壁面相對于所述法線的傾斜率保持恒定。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述第一側壁面包括多級依次連接的傾斜面；沿著遠離所述下表面的方向，所述傾斜面與所述法線所夾銳角逐漸變大。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述第一襯底部呈矩形板狀；

沿著遠離所述第一襯底部的方向上，所述第二襯底部呈橫截面逐漸變小。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述第二襯底部呈棱臺狀。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述第二側壁面上設置有反射材料層。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述第二側壁面上涂布有鍍銀層。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述發光功能層包括電極結構層以及發光層；

所述電極結構層設置于所述第二襯底部的遠離所述第一襯底部的一面上，所述發光層設置于所述電極結構層的遠離所述襯底的一面上。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述電極結構層包括氮化物異質結構層、自擴散接觸電極結構層以及金屬電極結構層；

所述氮化物異質結構層設置于所述第二襯底部的遠離所述第一襯底部的一面上，所述自擴散接觸電極結構層設置于所述氮化物異質結構層上，所述金屬電極結構層設置于所述自擴散接觸電極結構層上。

可選地，在本申請實施例所述的LED芯片結構中，所述氮化物異質結構層為p型摻雜III族氮化物層。