[發(fā)明專利]激活函數(shù)電路、憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)及憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的控制方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010559489.1
• 申請(qǐng)日: 2020-06-18
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111680792A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-09-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉森;李清江;宋兵;李錕;孫毅;王偉;于紅旗;李楠;劉海軍;李智煒;陳長(zhǎng)林;王義楠;步凱;王璽;曹榮榮;徐暉;刁節(jié)濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)人民解放軍國(guó)防科技大學(xué)
• 主分類號(hào): G06N3/063
• 分類號(hào): G06N3/063;G11C13/00
• 代理公司: 北京超成律師事務(wù)所 11646
• 代理人: 裴素英

1.一種激活函數(shù)電路，其特征在于，所述電路包括：運(yùn)算放大器、憶阻器，其中：

所述運(yùn)算放大器的同相輸入端接地，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端與前級(jí)憶阻交叉陣列中一個(gè)輸出端連接；

所述運(yùn)算放大器的輸出端與后級(jí)憶阻交叉陣列的一個(gè)輸入端連接，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端通過(guò)所述憶阻器與所述運(yùn)算放大器的輸出端連接；所述憶阻器還連接激勵(lì)電源，用以向所述憶阻器提供激勵(lì)電壓，調(diào)整所述憶阻器的阻值。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述運(yùn)算放大器的反相輸入端與所述憶阻器的上電極連接，所述運(yùn)算放大器的輸出端與所述憶阻器的底電極連接；

所述憶阻器的上電極或底電極連接所述激勵(lì)電源。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述憶阻器的底電極為釕金屬材料制備的電極，所述憶阻器的阻變層為氧化鉭材料制備的阻變層，所述憶阻器的上電極為鎢金屬材料制備的電極。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的電路，其特征在于，所述憶阻器的底電極為采用電子束蒸發(fā)生長(zhǎng)工藝基于釕金屬材料制備的電極，所述憶阻器的阻變層為采用電子束蒸發(fā)生長(zhǎng)工藝基于氧化鉭材料制備的阻變層，所述憶阻器的上電極為采用磁控濺射生長(zhǎng)工藝基于鎢金屬材料制備的電極。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電路，其特征在于，所述憶阻器的底電極和上電極的厚度相同，所述憶阻器的阻變層的厚度小于底電極或上電極的厚度。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的電路，其特征在于，所述憶阻器的底電極和上電極的厚度為40nm，所述憶阻器的阻變層的厚度為5nm。

7.一種憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，其特征在于，包括：至少兩級(jí)憶阻交叉陣列，相鄰兩級(jí)的憶阻交叉陣列中存在多個(gè)激活函數(shù)電路，所述激活函數(shù)電路為上述權(quán)利要求1-6任一所述的激活函數(shù)電路；

所述激活函數(shù)電路的個(gè)數(shù)等于所述相鄰兩級(jí)的憶阻交叉陣列中前級(jí)憶阻交叉陣列的輸出端的個(gè)數(shù)。

8.一種憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的控制方法，其特征在于，所述憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)為上述權(quán)利要求7所述的憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，所述控制方法包括：

控制所述激勵(lì)電源向所述憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中的憶阻器輸出激勵(lì)電壓；

向所述憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中第一級(jí)憶阻交叉陣列的輸入端輸入待處理數(shù)據(jù)；

獲取所述憶阻神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)中第二級(jí)憶阻交叉陣列的輸出端所輸出的處理結(jié)果。