[發(fā)明專利]提升光伏電池串EL檢測過程中上電均勻性方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010559355.X | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN111668130A | 公開(公告)日: | 2020-09-15 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 丁志強;彭云;高紀凡;李森;劉列;許陳 | 申請(專利權(quán))人: | 天合光能股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66;H02S50/10 |
| 代理公司: | 浙江永鼎律師事務(wù)所 33233 | 代理人: | 郭小麗 |
| 地址: | 213031 江蘇省常*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 提升 電池 el 檢測 過程 中上 均勻 方法 | ||
本發(fā)明提供了一種提升光伏電池串EL檢測過程中上電均勻性方法,屬于光伏電池制造技術(shù)領(lǐng)域。它是在電池串的每條焊帶的兩端分別電連接一個固定阻值的電阻后,再分別與直流電源的正負極連接。利用本發(fā)明方法已通過采購簡易電阻在產(chǎn)線串EL上實現(xiàn)功能,成象效果確實對比前后明顯,加電阻后,首尾片成象明顯更均勻。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于光伏電池制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種提升光伏電池串EL檢測過程中上電均勻性方法。
背景技術(shù)
在當前光伏電池組件的生產(chǎn)制作過程中,第一道即為把一片一片電池片在串焊機上自動上料然后自動焊接成一串,每串電池片的數(shù)量根據(jù)組件型號的不同而不同,大部分為5、6、10、12片等規(guī)格。目前針對串焊質(zhì)量的檢測,有外觀人工檢測,也有針對內(nèi)部缺陷及焊接不良(如虛焊)的串EL檢測方法和相關(guān)檢測硬件軟件模塊。但在目前的串EL檢測方法實施過程中有個問題是,由于焊帶越來越細,并且焊帶上都會有助焊劑,會導致兩端接觸機構(gòu)在與每個焊帶接觸時會出現(xiàn)接觸不均勻的現(xiàn)象,帶來的結(jié)果就是每根的接觸電阻可能會不一樣大,導致流過每根焊帶的電流會有大有小,進而導致首尾片會有EL成象亮度不均勻的現(xiàn)象,并與虛焊的特征類似,嚴重影響人員的判斷及自動工法的識別檢測準確率。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對上述問題,提供一種提升光伏電池串EL檢測過程中上電均勻性方法。
為達到上述目的,本發(fā)明采用了下列技術(shù)方案:
一種提升光伏電池串EL檢測過程中上電均勻性方法,在電池串的每條焊帶的兩端分別電連接一個固定阻值的電阻后,再分別與直流電源的正負極連接。
進一步的,在電池串的每條焊帶的兩端通過接觸壓塊分別電連接一個固定阻值的電阻后,再分別與直流電源的正負極連接。
進一步的,每條焊帶上的接觸壓塊與其他焊帶上的接觸壓塊相互絕緣或各自獨立。
進一步的,每條焊帶的兩端連接電阻后,再分別與一個導體壓塊電連接,兩個導體壓塊分別連接直流電源的正負極。
進一步的,所述的電阻的阻值大于焊帶的接觸阻值。
進一步的,所述的電阻的阻值為1-100歐姆。
進一步的,所述的電阻的阻值為50歐姆。
與現(xiàn)有的技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點在于:
1、利用本發(fā)明方法已通過采購簡易電阻在產(chǎn)線串EL上實現(xiàn)功能,成象效果確實對比前后明顯,加電阻后,首尾片成象明顯更均勻。
2、利用此發(fā)明的結(jié)構(gòu)制成了實驗樣板,經(jīng)過測試,其EL圖片較利用現(xiàn)有電接觸機構(gòu)的EL圖片,明顯均勻,能很好的解決現(xiàn)有問題。
本發(fā)明的其它優(yōu)點、目標和特征將部分通過下面的說明體現(xiàn),部分還將通過對本發(fā)明的研究和實踐而為本領(lǐng)域的技術(shù)人員所理解。
附圖說明
圖1是現(xiàn)有電池串接觸上電機構(gòu)原理圖;
圖2是現(xiàn)有電池串接觸上電機構(gòu)電路示意圖;
圖3是本發(fā)明電池串接觸上電機構(gòu)原理圖;
圖4是本發(fā)明電池串接觸上電機構(gòu)電路示意圖;
圖5是電池串EL圖片;
圖6是本發(fā)明電池串EL圖片。
圖中:電池串1、電池片1a、焊帶2、電阻3、接觸壓塊5、直流電源4、導體壓塊6。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖對本發(fā)明進行進一步說明。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天合光能股份有限公司,未經(jīng)天合光能股份有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010559355.X/2.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





