[發(fā)明專利]有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010559023.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN112117305A | 公開(公告)日: | 2020-12-22 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 文相皓;柳春基;金兌坤 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L27/32 | 分類號(hào): | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 有機(jī) 發(fā)光二極管 顯示器 及其 制造 方法 | ||
本公開涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:基底;半導(dǎo)體層,設(shè)置在基底上;第一絕緣層,其覆蓋半導(dǎo)體層;第一導(dǎo)電層,設(shè)置在第一絕緣層上;第二絕緣層,其覆蓋第一導(dǎo)電層;第二導(dǎo)電層,設(shè)置在第二絕緣層上;第三絕緣層,其覆蓋第二導(dǎo)電層;第三導(dǎo)電層,設(shè)置在第三絕緣層上;第一有機(jī)層,其覆蓋第三導(dǎo)電層;和第四導(dǎo)電層,設(shè)置在第一有機(jī)層上,其中,第四導(dǎo)電層包括下層、中間層和上層,并且下層設(shè)置在第一有機(jī)層和中間層之間,并包括透明導(dǎo)電氧化膜。
本申請(qǐng)要求于2019年6月19日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的第10-2019-0072844號(hào)韓國專利申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)以及從中產(chǎn)生的所有權(quán)益,所述韓國專利申請(qǐng)的全部內(nèi)容通過引用包含于此。
技術(shù)領(lǐng)域
本公開的示例性實(shí)施例涉及有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法,并尤其涉及包括多層電極的有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)
顯示裝置顯示圖像,而且,最近有機(jī)發(fā)光二極管顯示器受到高度關(guān)注。
有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有自發(fā)射特性,并且與液晶顯示裝置不同,其不需要另外的光源,從而減小了其厚度和重量。此外,有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有諸如低功耗、高亮度和高反應(yīng)速度的高質(zhì)量特性。
發(fā)明內(nèi)容
有機(jī)發(fā)光二極管顯示器具有比液晶顯示裝置更復(fù)雜的像素配置,并且通過使用多個(gè)掩模形成電極。在這種情況下,當(dāng)電極形成在有機(jī)層上時(shí),由于在干蝕刻工藝中與蝕刻氣體反應(yīng)而產(chǎn)生的有機(jī)層的顆粒,基底可能被污染并且良率可能變差。
本公開的示例性實(shí)施例致力于提供一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器及其制造方法,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器用于防止當(dāng)在有機(jī)層上形成電極時(shí)在干蝕刻工藝中有機(jī)層的暴露部分與蝕刻氣體反應(yīng)并產(chǎn)生顆粒。
本公開的示例性實(shí)施例提供了一種有機(jī)發(fā)光二極管顯示器,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器包括:基底;半導(dǎo)體層,設(shè)置在所述基底上;第一絕緣層,其覆蓋所述半導(dǎo)體層;第一導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第一絕緣層上;第二絕緣層,其覆蓋所述第一導(dǎo)電層;第二導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第二絕緣層上;第三絕緣層,其覆蓋所述第二導(dǎo)電層;第三導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第三絕緣層上;第一有機(jī)層,其覆蓋所述第三導(dǎo)電層;和第四導(dǎo)電層,設(shè)置在所述第一有機(jī)層上,其中,所述第四導(dǎo)電層包括下層、中間層和上層,并且所述下層設(shè)置在所述第一有機(jī)層和所述中間層之間,并包含透明導(dǎo)電氧化膜。
在示例性實(shí)施例中,所述透明導(dǎo)電氧化膜可以包括氧化銦錫(“ITO”)、氧化銦鋅(“IZO”)、氧化銦鎵鋅(“IGZO”)和氧化銦錫鋅(“ITZO”)中的至少一個(gè)。
在示例性實(shí)施例中,所述中間層可以包括鋁(Al),并且所述上層可以包括鈦(Ti)。
在示例性實(shí)施例中,所述中間層或所述上層還可以包括包含氮化鈦(TiN)的層。
在示例性實(shí)施例中,所述中間層可以包括在所述鋁和所述下層之間的包含氮化鈦的層,并且所述上層還可以包括在所述鈦上的包含氮化鈦的層。
在示例性實(shí)施例中,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可以包括:第二有機(jī)層,其覆蓋第四導(dǎo)電層;以及陽極,設(shè)置在第二有機(jī)層上。
在示例性實(shí)施例中,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可以包括設(shè)置在所述基底上的驅(qū)動(dòng)晶體管,其中,所述驅(qū)動(dòng)晶體管可以包括:第一半導(dǎo)體,設(shè)置在與所述半導(dǎo)體層相同的層中,并且包括溝道區(qū)、源極區(qū)和漏極區(qū);驅(qū)動(dòng)?xùn)艠O電極,設(shè)置在與所述第一導(dǎo)電層相同的層中;以及連接到所述第一半導(dǎo)體的所述源極區(qū)的源極電極和連接到所述漏極區(qū)的漏極電極。
在示例性實(shí)施例中,所述有機(jī)發(fā)光二極管顯示器還可以包括:第二薄膜晶體管,用于將數(shù)據(jù)電壓傳輸至所述驅(qū)動(dòng)晶體管的源極電極;和第三薄膜晶體管,用于初始化所述驅(qū)動(dòng)晶體管的漏極電極。
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- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
- 應(yīng)用有機(jī)材料制作有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光材料及有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)半導(dǎo)體組合物以及有機(jī)薄膜和具有該有機(jī)薄膜的有機(jī)薄膜元件
- 有機(jī)材料和包括該有機(jī)材料的有機(jī)發(fā)光裝置
- 有機(jī)發(fā)光元件、有機(jī)發(fā)光裝置、有機(jī)顯示面板、有機(jī)顯示裝置以及有機(jī)發(fā)光元件的制造方法
- 有序的有機(jī)-有機(jī)多層生長
- 有機(jī)半導(dǎo)體材料和有機(jī)部件
- 有機(jī)水稻使用的有機(jī)肥
- 有機(jī)垃圾生物分解的有機(jī)菌肥
- 有機(jī)EL用途薄膜、以及有機(jī)EL顯示和有機(jī)EL照明





