[發明專利]顯示設備在審
| 申請號: | 202010559006.8 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN112103311A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 樸亨埈;郭源奎;鄭鎮泰 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G06F3/041;G06F3/044 |
| 代理公司: | 北京鉦霖知識產權代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艷;馮志云 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 | ||
本公開涉及一種顯示設備,所述顯示設備包括:顯示面板,包括傳輸區域、顯示區域和中間區域,所述中間區域包括至少一個凹槽并且定位在所述傳輸區域和所述顯示區域之間;輸入感測層,堆疊在所述顯示面板上,其中,在平面圖中與所述至少一個凹槽重疊的金屬層位于所述顯示面板和所述輸入感測層之一中。
本申請要求于2019年6月18日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0072424號韓國專利申請的優先權和權益,上述韓國專利申請的公開內容通過引用被全部包含于此。
技術領域
一個或多個示例實施例的各方面涉及包括位于顯示區域內部的第一區域的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示設備。
背景技術
近來,顯示設備的應用已經多樣化。此外,由于顯示設備已變得更薄和更輕,因此顯示設備的使用范圍已經擴大。
顯示設備的由顯示區域占用的面積已經增加,而且,可以應用于顯示設備或鏈接到顯示設備的各種功能已被添加到顯示設備。為了增加由顯示區域占用的面積而且增加各種功能,已經對能夠將各種組件布置在顯示區域中的顯示設備進行了研究。
在本背景技術部分中公開的上述信息僅是為了加強對背景的理解,因此,在本背景技術部分中討論的信息不必然構成現有技術。
發明內容
一個或多個示例實施例的各方面包括在顯示區域內具有其中可以布置各種組件的傳輸區域的顯示面板以及包括該顯示面板的顯示設備。然而,本文中描述的一個或多個實施例僅是示例,且本公開的范圍不限于此。
根據一個或多個示例實施例,一種顯示設備包括:顯示面板,包括傳輸區域、顯示區域和中間區域,所述中間區域包括至少一個凹槽并且定位在所述傳輸區域和所述顯示區域之間;輸入感測層,堆疊在所述顯示面板上,其中,在平面圖中與所述至少一個凹槽重疊的金屬層位于所述顯示面板和所述輸入感測層之一中。
根據一些示例實施例,在所述顯示區域中,可以包括薄膜晶體管和存儲電容器,所述薄膜晶體管包括半導體層、柵電極、源電極和漏電極并且連接到顯示元件,所述存儲電容器包括彼此面對的下部電極和上部電極,絕緣層介于所述下部電極和所述上部電極之間,其中,所述柵電極用作所述下部電極。所述金屬層可以包括與被包含在所述柵電極和所述上部電極之一中的材料相同的材料,并且可以被布置在與其上布置有所述柵電極和所述上部電極之一的層相同的層上。
根據一些示例實施例,所述金屬層可以是在沒有斷開的情況下延伸的連續層。
根據一些示例實施例,所述金屬層可以是在平面圖中具有3μm或更小的間隙的分割式層。
根據一些示例實施例,所述分割式層可以包括單層分割式層或多層分割式層,所述單層分割式層位于與其上布置有所述柵電極和所述上部電極之一的所述層相同的層上,在所述多層分割式層中,多個層位于不同的層上,使得一個層的多個部分與另一層的多個部分交替,所述間隙介于所述一個層的多個部分和所述另一層的多個部分之間。
根據一些示例實施例,所述輸入感測層可以包括彼此面對的下部感測電極和上部感測電極,絕緣層介于所述下部感測電極和所述上部感測電極之間,并且所述金屬層可以包括與被包含在所述下部感測電極和所述上部感測電極之一中的材料相同的材料,并且可以被布置在與其上布置有所述下部感測電極和所述上部感測電極之一的層相同的層上。
根據一些示例實施例,所述金屬層可以是在沒有斷開的情況下延伸的連續層。
根據一些示例實施例,所述金屬層可以是在平面圖中具有3μm或更小的間隙的分割式層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





