[發明專利]原子層沉積設備的前驅體傳輸裝置和前驅體傳輸方法在審
| 申請號: | 202010558991.0 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN111560605A | 公開(公告)日: | 2020-08-21 |
| 發明(設計)人: | 張文強;趙雷超;史小平;蘭云峰;秦海豐;紀紅 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/455 | 分類號: | C23C16/455;C23C16/44;C23C16/52;C23C16/40 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;王婷 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 原子 沉積 設備 前驅 傳輸 裝置 方法 | ||
1.一種原子層沉積設備的前驅體傳輸裝置,包括第一進氣組件、第二進氣組件和設置有第一流量控制模塊的氣體補償管路,其中,所述第二進氣組件用于向所述原子層沉積設備的反應腔室輸送第二前驅體;所述氣體補償管路用于對所述反應腔室的總氣體流量進行補償,其特征在于,所述第一進氣組件包括第一前驅體源、緩沖裝置、第一前驅體管路和設置在所述第一前驅體管路上的第二流量控制模塊,其中,
所述緩沖裝置的兩端分別與所述第一前驅體源的輸出端和所述第一前驅體管路的輸入端連接,用于緩存第一前驅體;
所述第一前驅體管路的出氣端與所述反應腔室連接,用于輸送所述第一前驅體;
所述第二流量控制模塊,用于控制流經所述第二流量控制模塊的氣體流量等于流經所述第一流量控制模塊的氣體流量。
2.根據權利要求1所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述第一進氣組件還包括設置在所述第一前驅體管路上的壓力控制模塊,所述壓力控制模塊位于所述緩沖裝置與所述第二流量控制模塊之間,用于控制所述第二流量控制模塊的進氣端的氣體壓力等于所述第一流量控制模塊的進氣端的氣體壓力。
3.根據權利要求2所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述壓力控制模塊包括壓力傳感器、壓力調節閥和控制單元,其中,所述壓力傳感器用于檢測所述第二流量控制模塊的進氣端的氣體壓力,并將其發送至所述控制單元;所述控制單元用于根據所述氣體壓力和獲得的所述第一流量控制模塊的進氣端的氣體壓力,控制所述壓力調節閥調節所述第二流量控制模塊的進氣端的氣體壓力。
4.根據權利要求1所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述緩沖裝置包括緩沖容器、氣壓檢測模塊和控制模塊,其中,所述氣壓檢測模塊用于檢測所述緩沖容器中的氣體壓力,并將其發送至所述控制模塊;所述控制模塊用于根據所述氣壓檢測模塊檢測的所述氣體壓力和預設的壓力閾值,控制所述第一前驅體源開啟或關閉。
5.根據權利要求4所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述緩沖裝置還包括泄壓管路、抽氣泵和設置在所述泄壓管路上的泄壓通斷閥,其中,所述泄壓管路的兩端分別與所述緩沖容器和所述抽氣泵連接。
6.根據權利要求1-5任意一項所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述第一進氣組件還包括第一支路和第二支路,其中,
所述第一支路的兩端分別與所述第一前驅體管路的出氣端和所述反應腔室的進氣口連接,且在所述第一支路上設置有第一支路通斷閥;所述氣體補償管路的出氣端與所述第一支路連接,且連接點位于所述第一支路通斷閥與所述反應腔室的進氣口之間;
所述第二支路的兩端分別與所述第一前驅體管路的出氣端和所述反應腔室的排氣裝置連接,且在所述第二支路上設置有第二支路通斷閥。
7.根據權利要求1-5任意一項所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述第一進氣組件還包括連接管路和設置在所述連接管路上的單向閥,其中,所述連接管路的兩端分別與所述第一前驅體源的輸出端和所述緩沖裝置的輸入端連接。
8.根據權利要求7所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述第一進氣組件還包括用于輸送吹掃氣體的第一吹掃管路和設置在所述第一吹掃管路上的第三流量控制單元,其中,所述第一吹掃管路的輸出端與所述連接管路連接,且連接點位于所述單向閥與所述第一前驅體源之間。
9.根據權利要求2所述的前驅體傳輸裝置,其特征在于,所述第一進氣組件還包括設置在所述第一前驅體管路上的第二通斷閥,和用于輸送所述吹掃氣體的第二吹掃管路,其中,所述第二通斷閥位于所述緩沖裝置與所述壓力控制模塊之間;所述第二吹掃管路的輸出端與所述第一前驅體管路連接,且連接點位于所述第二通斷閥與所述壓力控制模塊之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





