[發(fā)明專利]輔助圖形嵌入方法及嵌入模塊在審
申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010558774.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-18 |
公開(公告)號(hào): | CN111766760A | 公開(公告)日: | 2020-10-13 |
發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 張國乾;胡展源;曾鼎程 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 上海華力集成電路制造有限公司 |
主分類號(hào): | G03F1/38 | 分類號(hào): | G03F1/38;G06F30/392 |
代理公司: | 上海浦一知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31211 | 代理人: | 焦天雷 |
地址: | 201203 上海市浦*** | 國省代碼: | 上海;31 |
權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索關(guān)鍵詞: | 輔助 圖形 嵌入 方法 模塊 | ||
本發(fā)明公開了一種輔助圖形嵌入方法,其用于光刻掩膜版制造,包括識(shí)別設(shè)計(jì)規(guī)則中的主要圖形,所述主要圖形是光刻掩膜版上用于形成器件功能區(qū)的圖形;將小于預(yù)設(shè)Pitch閾值的主要圖形擬合形成主要圖形虛擬合集;根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則在主要圖形虛擬合集旁側(cè)嵌入輔助圖形,所述輔助圖形是集成電路生產(chǎn)過程中的輔助透光圖形。將圖形虛擬合集恢復(fù)為主要圖形,完成輔助圖形嵌入。本發(fā)明還公開了一種輔助圖形嵌入模塊。本發(fā)明能提高光刻掩膜版輔助圖形嵌入計(jì)算效率和嵌入計(jì)算精度。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及集成電路生產(chǎn)制造領(lǐng)域,特別是一種用于光刻掩膜版制造工藝的輔助圖形嵌入方法。本發(fā)明還涉及一種用于光刻掩膜版制造的輔助圖形嵌入模塊。
背景技術(shù)
光刻掩膜版(又稱光罩,英文為Mask Reticle),簡(jiǎn)稱掩膜版,是微納加工技術(shù)常用的光刻工藝所使用的圖形母版。由不透明的遮光薄膜在透明基板上形成掩膜圖形結(jié)構(gòu),再通過曝光過程將圖形信息轉(zhuǎn)移到產(chǎn)品基片上。待加工的掩膜版由玻璃/石英基片、鉻層和光刻膠層構(gòu)成。其圖形結(jié)構(gòu)可通過制版工藝加工獲得,常用加工設(shè)備為直寫式光刻設(shè)備,如激光直寫光刻機(jī)、電子束光刻機(jī)等。掩膜版應(yīng)用十分廣泛,在涉及光刻工藝的領(lǐng)域都需要使用掩膜版,如IC(Integrated Circuit,集成電路)、FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)、PCB(Printed Circuit Boards,印刷電路板)、MEMS(Micro Electro Mechanical Systems,微機(jī)電系統(tǒng))等。
光刻掩膜版的制造過程,包括:根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則繪制生成設(shè)備可以識(shí)別的掩膜版版圖文件(GDS格式),使用無掩模光刻機(jī)讀取版圖文件,對(duì)帶膠的空白掩膜版進(jìn)行非接觸式曝光;照射掩膜版上所需圖形區(qū)域,使該區(qū)域的光刻膠發(fā)生光化學(xué)反應(yīng);經(jīng)過顯影、定影后,曝光區(qū)域的光刻膠溶解脫落,暴露出下面的鉻層。使用鉻刻蝕液進(jìn)行濕法刻蝕,將暴露出的鉻層刻蝕掉形成透光區(qū)域,而受光刻膠保護(hù)的鉻層不會(huì)被刻蝕,形成不透光區(qū)域。這樣便在掩膜版上形成透光率不同的平面圖形結(jié)構(gòu)。使用濕法或干法方式去除掩膜版上的光刻膠層,并對(duì)掩膜版進(jìn)行清洗。
上述光刻掩膜版制造過程中,輔助圖形根據(jù)主要圖形的位置鑲?cè)耄⒔?jīng)過處理形成最后要輸出的圖形,參考圖1所示。在根據(jù)主要圖形的位置鑲?cè)胼o助圖形,由于存在多個(gè)主要圖形,造成輔助圖形鑲?cè)胛恢糜?jì)算需要耗費(fèi)大量時(shí)間,影響生產(chǎn)效率。
發(fā)明內(nèi)容
在發(fā)明內(nèi)容部分中引入了一系列簡(jiǎn)化形式的概念,該簡(jiǎn)化形式的概念均為本領(lǐng)域現(xiàn)有技術(shù)簡(jiǎn)化,這將在具體實(shí)施方式部分中進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容部分并不意味著要試圖限定出所要求保護(hù)的技術(shù)方案的關(guān)鍵特征和必要技術(shù)特征,更不意味著試圖確定所要求保護(hù)的技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種能提高光刻掩膜版輔助圖形嵌入計(jì)算效率和嵌入計(jì)算精度的輔助圖形嵌入方法。
本發(fā)明要解決的另一技術(shù)問題是提供一種能提高光刻掩膜版輔助圖形嵌入計(jì)算效率和嵌入計(jì)算精度的輔助圖形嵌入模塊。
為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明提供用于光刻掩膜版制造的輔助圖形嵌入方法,包括以下步驟:
S1,識(shí)別設(shè)計(jì)規(guī)則中的主要圖形,所述主要圖形是光刻掩膜版上用于形成器件功能區(qū)的圖形;
S2,將小于預(yù)設(shè)Pitch閾值的主要圖形擬合形成主要圖形虛擬合集;
Pitch是跨距、腳距、墊距、線距、中距。
S3,根據(jù)設(shè)計(jì)規(guī)則在主要圖形虛擬合集旁側(cè)嵌入輔助圖形,所述輔助圖形是集成電路生產(chǎn)過程中的輔助透光圖形。
S4,將圖形虛擬合集恢復(fù)為主要圖形,完成輔助圖形嵌入。
可選擇的,將小于預(yù)設(shè)Pitch閾值的主要圖形沿外邊線擬合形成主要圖形虛擬合集,所述外邊線是指該邊線之外不存所述重復(fù)主要圖形。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于上海華力集成電路制造有限公司,未經(jīng)上海華力集成電路制造有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010558774.1/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記;其制備
- 一種數(shù)據(jù)庫讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)