[發明專利]半導體元件和功率放大裝置

在審

• 申請號: 202010558348.8
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN112104332A
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 小屋茂樹;梅本康成;大部功;近藤將夫;齋藤祐一;筒井孝幸
• 申請（專利權）人: 株式會社村田制作所
• 主分類號: H03F3/21
• 分類號: H03F3/21;H03F3/68;H03F3/19;H03F1/30;H01L23/367
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 舒艷君;王海奇

1.一種半導體元件，具有：

半導體基板；

第一放大器和第二放大器，被設置于所述半導體基板，所述第一放大器和所述第二放大器在第一方向上相鄰；

第一基準電位凸塊，被設置于所述半導體基板的主面，連接所述第一放大器和基準電位；

第二基準電位凸塊，被設置于所述半導體基板的主面，所述第二基準電位凸塊和所述第一基準電位凸塊在所述第一方向上相鄰，并連接所述第二放大器和基準電位；以及

矩形狀凸塊，被設置于所述半導體基板的主面，在從與所述主面垂直的方向俯視時，所述矩形狀凸塊被設置于所述第一基準電位凸塊與所述第二基準電位凸塊之間，且與所述第一方向正交的第二方向上的第二寬度比所述第一方向上的第一寬度大，

所述矩形狀凸塊的所述第二寬度比所述第一基準電位凸塊和所述第二基準電位凸塊中的至少一者的所述第二方向上的寬度大。

2.根據權利要求1所述的半導體元件，其中，

所述矩形狀凸塊與假想線交叉，該假想線連結所述第一基準電位凸塊的所述第二方向的寬度的中心和所述第二基準電位凸塊的所述第二方向上的寬度的中心。

3.根據權利要求1或2所述的半導體元件，其中，

所述矩形狀凸塊的與所述半導體基板的主面垂直的方向上的高度與所述第一基準電位凸塊以及所述第二基準電位凸塊的與所述半導體基板的主面垂直的方向上的高度相等。

4.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體元件，其中，

所述第一放大器和所述第二放大器分別包括沿所述第一方向排列的多個晶體管，

所述第一基準電位凸塊和所述第二基準電位凸塊分別被配置在與多個所述晶體管重疊的區域，所述第一方向上的寬度比所述第二方向上的寬度大。

5.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體元件，其中，

所述第一放大器和所述第二放大器分別包括沿所述第二方向排列的多個晶體管，

所述第一基準電位凸塊和所述第二基準電位凸塊分別被配置在與多個所述晶體管重疊的區域，所述第二方向上的寬度比所述第一方向上的寬度大。

6.根據權利要求1至3中任一項所述的半導體元件，其中，

所述第一放大器包括沿所述第一方向排列的多個晶體管，

所述第二放大器包括沿所述第二方向排列的多個晶體管，

所述第一基準電位凸塊被配置在與沿所述第一方向排列的多個晶體管重疊的區域，所述第一方向上的寬度比所述第二方向上的寬度大，

所述第二基準電位凸塊被配置在與沿所述第二方向排列的多個晶體管重疊的區域，所述第二方向上的寬度比所述第一方向上的寬度大。

7.根據權利要求1至6中任一項所述的半導體元件，其中，具有：

凹部，被設置于所述半導體基板的主面；以及

金屬層，被設置于所述凹部，

所述矩形狀凸塊與所述金屬層重疊地設置。

8.根據權利要求4至6中任一項所述的半導體元件，其中，

多個所述晶體管是異質結雙極性晶體管。

9.一種功率放大裝置，具有：

權利要求1至8中任一項所述的半導體元件；以及

模塊基板，與所述半導體元件相對置，且與所述半導體元件電連接，

所述模塊基板具有：

絕緣基板，具有與所述半導體基板的主面相對置的第一面、和與所述第一面相反側的第二面；以及

多個第一布線，被設置于所述絕緣基板的所述第一面，與所述第一基準電位凸塊、所述第二基準電位凸塊和所述矩形狀凸塊分別連接，且相互分離。

10.根據權利要求9所述的功率放大裝置，其中，具有：

多個第二布線，被設置于所述絕緣基板的內層，經由電介質層與多個所述第一布線層疊，且相互分離；以及

共用的第三布線，經由電介質層與多個所述第二布線層疊，被設置在比多個所述第二布線更遠離所述第一面的位置，

所述矩形狀凸塊經由共用的所述第三布線與所述第一基準電位凸塊和所述第二基準電位凸塊電連接。