[發(fā)明專利]一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料及其制備方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 202010558298.3
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111647163A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 胡鵬;姬柳迪;朱曉明;李澤宇;王軍濤
• 申請（專利權(quán)）人: 湖北科技學院
• 主分類號: C08G83/00
• 分類號: C08G83/00;H01F1/42
• 代理公司: 浙江千克知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 33246
• 代理人: 裴金華

1.一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料，其特征在于，其分子式為[(CH₃)₂NH₂]Gd(C₂O₄)(HCOO)₂H₂O·2H₂O，分子量為435.4，屬于單斜晶系，P2₁/n空間群；晶胞參數(shù)為a =9.6414 ?，b = 11.5715 ?， c =12.1439 ?，α = γ = 90°，β ＝ 99.468 °， 晶胞體積為V= 1336.38 ?³。

2.如權(quán)利要求1所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料，其特征在于，所述配位材料在溫度T＝2.0 K、外場ΔH＝7 T時的最大磁熵變?yōu)?9.97 J kg^-1 K^-1；在溫度T＝2.0K、外場ΔH＝3 T時的最大磁熵變?yōu)?8.26 J kg^-1 K^-1。

3.如權(quán)利要求2所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

制備含釓鹽、草酸鹽、N, N-二甲基甲酰胺、水的混合物；

將所述混合物在120℃~140℃下晶化60 h~80 h得到塊狀無色晶體；

將所述晶體依次用反應(yīng)母液、乙醚洗滌，之后干燥。

4.如權(quán)利要求3所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料的制備方法，其特征在于，所述釓鹽為硝酸釓六水合物或高氯酸釓六水合物。

5.如權(quán)利要求3所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料的制備方法，其特征在于，所述草酸鹽為草酸鈉。

6.如權(quán)利要求3所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料的制備方法，其特征在于，所述混合物中所述釓鹽、所述草酸鹽、所述N, N-二甲基甲酰胺、所述水的摩爾比為10:（15~20）:1:（12~25）。

7.如權(quán)利要求3所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料的制備方法，其特征在于，所述晶化過程在帶聚四氟乙烯內(nèi)襯的不銹鋼反應(yīng)釜中進行。

8.如權(quán)利要求1所述的一種具有高磁熱效應(yīng)的釓基框架配位材料在低溫磁制冷劑上的應(yīng)用，其特征在于，所述配位材料在溫度T＝2.0 K、外場ΔH＝7 T時的最大磁熵變?yōu)?9.97J kg^-1 K^-1；在溫度T＝2.0 K、外場ΔH＝3 T時的最大磁熵變?yōu)?8.26 J kg^-1 K^-1。