[發明專利]MOM結構及金屬層間電介質擊穿測試方法在審
| 申請號： | 202010558255.5 | 申請日： | 2020-06-18 |
| 公開（公告）號： | CN112002651A | 公開（公告）日： | 2020-11-27 |
| 發明（設計）人： | 宋怡萱;吳奇偉;尹彬鋒;周柯 | 申請（專利權）人： | 上海華力集成電路制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/66 | 分類號： | H01L21/66;H01L23/544 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | mom 結構 金屬 電介質 擊穿 測試 方法 | ||
1.一種MOM結構，其用于半導體可靠性測試，其特征在于，包括：n個焊墊(Pad1～Padn)和(n-2)個MxMx結構；
第一焊墊(Pad1)至第(n-1)個焊墊(Padn-1)每個焊墊對應連接一個MxMx結構,所有MxMx結構并聯在第一焊墊(Pad1)和第n個焊墊(Padn)之間，每個MxMx結構串聯有一個單向導通器件，第一焊墊(Pad1)和第n個焊墊(Padn)之間也設有一個單向導通器件；
其中，第一焊墊(Pad1)是單向導通器件正向偏壓方向的首個焊墊。
2.如權利要求1所述的MOM結構，其特征在于：單向導通器件是二極管。
3.如權利要求1所述的MOM結構，其特征在于：單向導通器件是SCR。
4.如權利要求1所述的MOM結構，其特征在于：其能用于測試自第一金屬層(M1)至頂層金屬層(top metal)。
5.如權利要求1所述的MOM結構，其特征在于：n＝12。
6.一種利用權利要求1所述MOM結構的金屬層間電介質擊穿測試方法，其特征在于，包括以下步驟：
S1，在第一焊墊(Pad1)加測試電壓，第n個焊墊(Padn)接地；
S2，實時測量漏電流直至量測電流大于預設失效電流；
S3，在單向導通器件逆向偏壓方向的首個焊墊加測試電壓上加測試電壓；
S4，將剩下的焊墊依次分別接地測試初始漏電流；
S5，若某焊墊初始漏電流量級達到金屬層間電介質擊穿時漏電流量級，則判斷該焊墊對應MxMx結構對應的是金屬層間電介質擊穿位置。
7.如權利要求6所述的金屬層間電介質擊穿測試方法，其特征在于：金屬層間電介質擊穿位置即該被測器件的薄弱金屬層。
8.如權利要求6所述的金屬層間電介質擊穿測試方法，其特征在于：單向導通器件是二極管。
9.如權利要求6所述的金屬層間電介質擊穿測試方法，其特征在于：單向導通器件是SCR。
10.如權利要求6所述的金屬層間電介質擊穿測試方法，其特征在于：初始漏電流量級為1e-11～1e-6A，失效電流為1e-3A。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
