[發明專利]用于半導體制冷片基材制備的搖擺爐及其控制方法

在審

• 申請號: 202010558143.X
• 申請日: 2020-06-18
• 公開（公告）號: CN111678344A
• 公開（公告）日: 2020-09-18
• 發明（設計）人: 阮秀清;阮秀滄
• 申請（專利權）人: 泉州市依科達半導體致冷科技有限公司
• 主分類號: F27B17/00
• 分類號: F27B17/00;F27D19/00;H01L35/34
• 代理公司: 廈門原創專利事務所(普通合伙) 35101
• 代理人: 黃一敏

1.一種用于半導體制冷片基材制備的搖擺爐，其特征在于，包括：

控制箱(10)；

設置于所述溫控箱(10)上的溫控儀表(11)；

與所述溫控箱(10)連接的傳動電機(12)；

聯動桿(13)，其一端與所述轉動電機(12)鉸接；

設置于所述溫控箱(10)上的支座(14)；

設置于所述支座(14)上的爐體(15)，其一端設置有開口(20)，且所述爐體(15)可在所述傳動電機(12)及所述聯動桿(13)的帶動下繞所述支座(14)左右擺動；其中，所述爐體(15)的爐壁設置有保溫層(16)，所述保溫層(16)合圍形成一柱狀的容置腔(17)，所述容置腔(17)沿其長度方向設置有至少3個溫控區，其中，每一溫控區設置有分別與所述溫控儀表(11)連接的加熱單元(18)以及溫度傳感器(19)。

2.如權利要求1所述的用于半導體制冷片基材制備的搖擺爐，其特征在于，每一加熱單元(18)環繞其對應的容置腔(17)設置。

3.如權利要求1所述的用于半導體制冷片基材制備的搖擺爐，其特征在于，所述爐體(15)可繞所述支座(14)左右擺動所形成的夾角為2A，其中，A為20～30°。

4.一種如權利要求1-3任一項的用于半導體制冷片基材制備的搖擺爐的控制方法，其特征在于，包括以下步驟：

S1，將半導體晶棒通過所述開口(20)放入所述容置腔(17)中；

S2，通過所述加熱單元(18)對所述容置腔(17)進行程序升溫到600～700攝氏度，并同時控制所述傳動電機(12)帶動所述所述爐體(15)繞所述支座(14)左右擺動；

S3，當達到預定溫度后，保溫3小時，其中，保溫過程中控制每一溫控區之間的溫差在±2℃。

5.如權利要求4所述的控制方法，其特征在于，在步驟S2中，所述控制所述傳動電機(12)帶動所述所述爐體(15)繞所述支座(14)左右擺動的步驟包括：

控制所述傳動電機(12)以擺動頻率為10～20次/min帶動所述所述爐體(15)繞所述支座(14)左右擺動。

6.如權利要求4所述的控制方法，其特征在于，在步驟S2中，所述通過所述加熱單元(18)對所述容置腔(17)進行程序升溫到600～700攝氏度的步驟包括：

通過所述加熱單元(18)對所述容置腔(17)進行程序升溫到630～640攝氏度。

7.如權利要求4所述的控制方法，其特征在于，在步驟S2中，所述通過所述加熱單元(18)對所述容置腔(17)進行程序升溫到600～700攝氏度的步驟包括：

通過所述加熱單元(18)對所述容置腔(17)進行程序升溫到635～638攝氏度。