[發(fā)明專利]一種基于八面體結(jié)構(gòu)NiO/Zn2 有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010557763.1 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN111551592B | 公開(kāi)(公告)日: | 2021-10-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 孫鵬;周朝歌;盧革宇;劉方猛;閆旭;王晨光;梁喜雙;高原 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 吉林大學(xué) |
| 主分類(lèi)號(hào): | G01N27/12 | 分類(lèi)號(hào): | G01N27/12 |
| 代理公司: | 長(zhǎng)春吉大專利代理有限責(zé)任公司 22201 | 代理人: | 劉世純;王恩遠(yuǎn) |
| 地址: | 130012 吉林省長(zhǎng)春市*** | 國(guó)省代碼: | 吉林;22 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 基于 八面體 結(jié)構(gòu) nio zn base sub | ||
1.一種基于八面體結(jié)構(gòu)NiO/Zn2SnO4復(fù)合敏感材料的丙酮?dú)怏w傳感器,為旁熱式結(jié)構(gòu),由外表面帶有兩條平行、環(huán)狀且彼此分立的金電極的Al2O3陶瓷管襯底、涂覆在陶瓷管外表面和金電極上的半導(dǎo)體復(fù)合敏感材料和置于陶瓷管內(nèi)的鎳鎘合金加熱線圈組成;其特征在于:半導(dǎo)體氧化物復(fù)合敏感材料為八面體結(jié)構(gòu)NiO/Zn2SnO4,且其由如下步驟制備得到,
(1)首先將0.5~1 mmol的SnCl4·5H2O和1~2 mmol的ZnSO4·7H2O按照1:2的摩爾比溶于35~45 mL去離子水里面,然后加入0.08~0.12 g十六烷基三甲基溴化銨和0.20~0.28 g氫氧化鈉,充分?jǐn)嚢?0~40 min;
(2)將步驟(1)得到的溶液在170~190 °C條件下水熱反應(yīng)24~26 h,自然冷卻到室溫后用去離子水和乙醇溶液分別洗滌3~5次,再于70~90 °C空氣氛圍下干燥;
(3)將步驟(2)得到的材料于450~550 °C下煅燒2~3 h;
(4)將50~100 mg步驟(3)得到的材料,0.5~3 mg Ni(NO3)2?6H2O一并加入20~30 mL無(wú)水乙醇中,在室溫下劇烈攪拌6~8 h后于70~90 °C烘干,并于400~500 °C下煅燒2~3 h,從而得到NiO/Zn2SnO4復(fù)合敏感材料粉末。
2.權(quán)利要求1所述的一種基于八面體結(jié)構(gòu)NiO/Zn2SnO4復(fù)合敏感材料的丙酮?dú)怏w傳感器的制備方法,其步驟如下:
a、取NiO/Zn2SnO4復(fù)合敏感材料粉末與去離子水按質(zhì)量比1~3 : 1的比例混合均勻形成漿料;用毛刷蘸取漿料涂覆在外表面上帶有兩條平行、環(huán)狀且彼此分立金電極的Al2O3陶瓷管外表面,使其完全覆蓋外表面的金電極;復(fù)合物納米敏感材料的厚度為15~30 μm;
b、將涂覆好的Al2O3陶瓷管在紅外燈下烘烤30~45 min;
c、將烘烤后的Al2O3陶瓷管在400~450 °C下燒結(jié)2~3 h,然后將電阻值為30~40 Ω的鎳鎘合金加熱線圈穿過(guò)Al2O3陶瓷管內(nèi)部,通以直流電為傳感器提供工作溫度;最后通過(guò)鉑絲導(dǎo)線將Al2O3陶瓷管焊接在旁熱式六角管座上;
d、最后將傳感器在200~400 °C空氣環(huán)境中老化5~7天,從而得到基于八面體結(jié)構(gòu)NiO/Zn2SnO4復(fù)合敏感材料的丙酮?dú)怏w傳感器。
3.如權(quán)利要求2所述的一種基于八面體結(jié)構(gòu)NiO/Zn2SnO4復(fù)合敏感材料的丙酮?dú)怏w傳感器的制備方法,其特征在于:Al2O3陶瓷管的內(nèi)徑為0.6~0.8 mm,外徑為1.0~1.5 mm,長(zhǎng)度為4~5 mm;單個(gè)金電極的寬度為0.4~0.5 mm,兩條環(huán)狀金電極的間距為0.5~0.6 mm;金電極上引出的鉑絲導(dǎo)線,其長(zhǎng)度為4~6 mm。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于吉林大學(xué),未經(jīng)吉林大學(xué)許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買(mǎi)此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010557763.1/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類(lèi)專利
- 專利分類(lèi)
- 卡片結(jié)構(gòu)、插座結(jié)構(gòu)及其組合結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)平臺(tái)結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)支撐結(jié)構(gòu)
- 單元結(jié)構(gòu)、結(jié)構(gòu)部件和夾層結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)扶梯結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)隔墻結(jié)構(gòu)
- 鋼結(jié)構(gòu)連接結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 螺紋結(jié)構(gòu)、螺孔結(jié)構(gòu)、機(jī)械結(jié)構(gòu)和光學(xué)結(jié)構(gòu)
- 一種三維孔容碳/納米NiO復(fù)合材料的制備方法
- 一種基于Android系統(tǒng)的多協(xié)議通訊框架及通訊方法
- 一種高性能氧化鎳基P型薄膜晶體管及其制備方法
- 一種基于卟啉鋅與丁二酮肟鈷自組裝的NiO光陰極的制備方法
- NiO復(fù)合薄膜、量子點(diǎn)發(fā)光器件及其制備和應(yīng)用
- 一種基于納米NiO/AlGaN異質(zhì)結(jié)構(gòu)的倒置式快速紫外光響應(yīng)器件及制備方法
- 一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池NiO空穴傳輸層的制備方法
- 一種NiO納米網(wǎng)格的制備方法
- 納米材料及其制備方法、量子點(diǎn)發(fā)光二極管及其制備方法
- 一種高活性納米晶NiO薄膜的制備方法





