[發明專利]感測器封裝結構在審
| 申請號: | 202010556858.1 | 申請日: | 2020-06-18 |
| 公開(公告)號: | CN113823645A | 公開(公告)日: | 2021-12-21 |
| 發明(設計)人: | 辛宗憲 | 申請(專利權)人: | 勝麗國際股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146 |
| 代理公司: | 北京律和信知識產權代理事務所(普通合伙) 11446 | 代理人: | 張羽;武玉琴 |
| 地址: | 中國臺*** | 國省代碼: | 臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 感測器 封裝 結構 | ||
1.一種感測器封裝結構,其特征在于,所述感測器封裝結構包括:一基板,具有位于相反側的一第一板面與一第二板面;
一感測芯片,安裝于所述基板的所述第一板面,并且所述感測芯片的頂面具有一感測區域及位于所述感測區域外側的多個金屬墊;
一墊高層,設置于所述基板的所述第一板面,并且所述墊高層鄰近于多個所述金屬墊;其中,所述墊高層的頂緣設有電性耦接于所述基板的多個打線區塊,并且所述墊高層的所述頂緣共平面于所述感測芯片的所述頂面,而多個所述打線區塊的位置分別對應于多個所述金屬墊的位置;
多條導線,其一端分別連接于多個所述金屬墊,并且多個所述導線的另一端分別連接于多個所述打線區塊,以使所述感測芯片通過多個所述導線與所述墊高層而電性耦接于所述基板;
一支撐體,設置于所述墊高層的所述頂緣與所述感測芯片的所述頂面,并且多個所述導線完全埋置于所述支撐體內;以及
一透光層,設置于所述支撐體上并且面向所述感測芯片的所述感測區域。
2.依據權利要求1所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述墊高層呈環狀且圍繞于所述感測芯片的外側,并且所述墊高層與所述感測芯片之間形成有一環形間隙,而任一個所述導線跨過所述環形間隙而連接于相對應的所述金屬墊與相對應的所述打線區塊。
3.依據權利要求2所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述感測器封裝結構進一步包含有形成于所述環形間隙內的一填充體,所述填充體的頂緣連接于所述支撐體。
4.依據權利要求3所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述填充體的所述頂緣共平面于所述墊高層的所述頂緣與所述感測芯片的所述頂面。
5.依據權利要求2所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述支撐體呈環形,并且所述感測芯片的所述頂面、所述支撐體、及所述透光層共同圍繞形成有一封閉空間,而所述感測區域位于所述封閉空間內。
6.依據權利要求5所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述感測器封裝結構進一步包含有形成于所述第一板面的一封裝體,并且所述封裝體包覆于所述墊高層的外側緣、所述支撐體的外側緣、及所述透光層的外側緣。
7.依據權利要求2所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述墊高層的材質不同于所述基板的材質。
8.依據權利要求1所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述墊高層包含有分別連接多個所述打線區塊的多條傳輸線路,并且多個所述傳輸線路皆連接于所述基板。
9.依據權利要求1所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述感測器封裝結構進一步包含有設置于所述第一板面的一封閉層,并且所述封閉層與所述墊高層相連而共同呈一環狀結構、且圍繞于所述感測芯片的外側;其中,所述封閉層未電性連接于所述基板及所述感測芯片。
10.依據權利要求9所述的感測器封裝結構,其特征在于,所述封閉層的頂緣共平面于所述墊高層的所述頂緣與所述感測芯片的所述頂面,并且所述支撐體呈環形且形成于所述墊高層的所述頂緣與所述封閉層的所述頂緣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





