[發明專利]透明導電膜及其制備方法

在審

• 申請號: 202010555855.6
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN111599511A
• 公開（公告）日: 2020-08-28
• 發明（設計）人: 雷貝;彭穎杰;徐林;王新媛;姜鍇;潘克菲;徐曄
• 申請（專利權）人: 蘇州繪格光電科技有限公司;蘇州諾菲納米科技有限公司
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;H01B13/00
• 代理公司: 蘇州威世朋知識產權代理事務所(普通合伙) 32235
• 代理人: 韓曉園

1.一種透明導電膜，其特征在于，包括：

透明的基板，所述基板包括可視區、位于所述可視區周圍的走線區；

位于所述基板上的工作電極，所述工作電極由納米金屬線、或納米金屬棒、或納米金屬膜構成，所述工作電極位于走線區的結構上具有露出所述工作電極的剖面的搭接槽，所述搭接槽的深度不小于所述工作電極的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向貫穿所述工作電極；

保護層，位于所述工作電極背離所述基板的一側，所述保護層上具有與所述搭接槽相連通的導電通道；

電連接件，位于所述搭接槽與所述導電通道內，所述電連接件為固化的導電漿料；

電極引線，位于所述保護層背離所述工作電極的一側，且所述電極引線通過所述電連接件與相應的工作電極電性連接。

2.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述納米金屬線為直徑5nm～100nm、長度介于15μm～25μm的納米銀線。

3.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述保護層的厚度不低于10nm。

4.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述搭接槽為一個槽，或所述搭接槽包括幾個獨立的子槽；

和/或，所述導電通道為一個通道或所述導電通道包括幾個獨立的子通道。

5.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述電極引線為漆包線，所述漆包線包括金屬線向外暴露的搭接部；

或，所述電極引線為由絲網印刷或噴墨打印導電漿料固化形成的電極線；

或，所述電極引線為由銀漿等導電漿料涂布成導電膜再蝕刻形成的電極線。

6.根據權利要求1所述的透明導電膜，其特征在于，所述透明導電膜還包括位于所述基板上的分離層，所述工作電極位于所述分離層背離所述基板的一側；

或，所述透明導電膜還包括位于所述基板上的分離層、位于所述分離層背離所述基板的一側的樹脂層，所述工作電極位于所述樹脂層背離所述分離層的一側。

7.一種透明導電膜的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

S1在基板上形成工作電極，所述工作電極由納米金屬線、或納米金屬棒、或納米金屬膜構成；

S2在位于所述基板的走線區的所述工作電極上開設搭接槽露出所述工作電極的剖面，所述搭接槽的深度不小于所述工作電極的厚度的三分之二，或所述搭接槽沿厚度方向貫穿所述工作電極；

S3在所述工作電極背離所述基板的一側形成保護層；

S4在位于所述基板的走線區的所述保護層上開設導電通道；

S8向一一對應連通的所述導電通道與所述搭接槽內填充導電漿料，固化所述導電漿料形成電連接件；

S6在所述保護層背離所述工作電極的一側布設電極引線，所述電極引線通過所述電連接件與對應的工作電極電性連接。

8.根據權利要求7所述的透明導電膜的制備方法，其特征在于，

所述納米金屬線為直徑5nm～100nm、長度介于15μm～25μm的納米銀線。

9.根據權利要求7所述的透明導電膜的制備方法，其特征在于，所述保護層的厚度不低于10nm。

10.根據權利要求7所述的透明導電膜的制備方法，其特征在于，在形成所述工作電極后，同時形成所述導電通道與所述搭接槽；或，所述搭接槽與所述導電通道分別獨立形成。

11.根據權利要求10所述的透明導電膜的制備方法，其特征在于，形成所述搭接槽過程中溫度不高于300℃；

和/或，形成所述導電通道過程中溫度不高于300℃。

12.根據權利要求10或11所述的透明導電膜的制備方法，其特征在于，形成所述搭接槽的方法包括機械性破壞、超聲波、等離子體剝蝕、沖擊波、預留孔、化學蝕刻，所述機械性破壞包括劃傷、撕裂、刮、鉆、切、磨、振動。