[發明專利]一種NiV合金靶材及其成型的方法與用途

在審

• 申請號: 202010555535.0
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN111549324A
• 公開（公告）日: 2020-08-18
• 發明（設計）人: 姚力軍;潘杰;邊逸軍;王學澤;周敏
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料股份有限公司
• 主分類號: C23C14/34
• 分類號: C23C14/34;C22C19/03;B21B45/00;B21B37/74;B21B37/56;B21B3/00;C22F1/10
• 代理公司: 北京遠智匯知識產權代理有限公司 11659
• 代理人: 王巖

1.一種NiV合金靶材成型的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)將NiV坯料預熱至第一溫度；

(2)將步驟(1)預熱后的NiV坯料在第二溫度下保溫；

(3)步驟(2)保溫后的NiV坯料經軋制，得到NiV合金靶材。

2.根據權利要求1所述的方法，其特征在于，步驟(1)中所述第一溫度為1000～1200℃，優選為1050～1150℃。

3.根據權利要求1或2所述的方法，其特征在于，步驟(2)中所述第二溫度為1000～1200℃，優選為1050～1150℃；

優選地，所述保溫的時間為30～90min，優選為45～75min。

4.根據權利要求1～3任一項所述的方法，其特征在于，步驟(3)中所述軋制為至少兩道次軋制，優選至少八道次軋制；

優選地，所述軋制中每道次的變形率≤10％。

5.根據權利要求1～4任一項所述的方法，其特征在于，步驟(3)所述軋制過程中NiV坯料的溫度控制在第三溫度范圍；

優選地，所述第三溫度范圍為1000～1200℃，優選為1050～1150℃。

6.根據權利要求1～5任一項所述的方法，其特征在于，步驟(3)中所述軋制中NiV坯料的溫度小于第三溫度范圍最小值時，將所述NiV坯料加熱至第三溫度范圍內；

優選地，所述軋制中NiV坯料的溫度大于第三溫度范圍最大值時，將所述NiV坯料冷卻至第三溫度范圍內。

7.根據權利要求1～6任一項所述的方法，其特征在于，所述NiV坯料中Ni的質量百分含量為92wt％～95wt％；

優選地，所述NiV坯料中V的質量百分含量為5wt％～8wt％。

8.根據權利要求1～7任一項所述的方法，其特征在于，所述方法包括如下步驟：

(1)將NiV坯料預熱至1000～1200℃；

(2)將步驟(1)預熱后的NiV坯料在1000～1200℃下保溫30～90min；

(3)步驟(2)保溫后的NiV坯料經至少八道次軋制，所述軋制中每道次的變形率≤10％，得到NiV合金靶材，其中，所述軋制過程中NiV坯料的溫度控制在1000～1200℃。

9.一種NiV合金靶材，其特征在于，所述NiV合金靶材由權利要求1～8任一項所述的NiV合金靶材成型的方法制得。

10.根據權利要求9所述的NiV合金靶材在半導體、電子信息、集成電路或顯示器中的用途。