[發明專利]一種OLED屏體及其制備方法在審
| 申請號: | 202010553862.2 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN111785754A | 公開(公告)日: | 2020-10-16 |
| 發明(設計)人: | 朱映光;張國輝;許顯斌;郭立雪;安小鵬;王樹朋;胡永嵐 | 申請(專利權)人: | 固安翌光科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/00 |
| 代理公司: | 北京志霖恒遠知識產權代理事務所(普通合伙) 11435 | 代理人: | 韓亞偉 |
| 地址: | 065500 河北*** | 國省代碼: | 河北;13 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 oled 及其 制備 方法 | ||
本申請公開了一種OLED屏體及其制備方法,OLED屏體包括可三維曲面性襯底和多個OLED子屏;OLED子屏之間通過可延展引線電性連接;OLED子屏通過可三維延展連接層連接在可三維曲面性襯底上。OLED子屏通過可三維延展連接層連接在可三維曲面性襯底上,當OLED屏體變形時,可三維延展連接層隨著可三維曲面性襯底產生一定變形,分散了子屏與襯底連接處作用力,起到了緩沖作用,避免OLED子屏與襯底分離造成破壞,提高OLED屏體整體壽命。
技術領域
本申請涉及有機發光二極管技術領域,具體涉及一種OLED屏體及其制備方法。
背景技術
OLED具有輕薄、可柔性等特點,目前廣泛應用于顯示以及照明領域;隨著社會的發展,目前輕薄、可柔性的特性并不能完全滿足社會的需求,可三維曲面性屏體的需求變得越來越大。可是,現有技術中的可三維曲面性屏體普遍存在工藝制備復雜、封裝難度大、可靠性差等問題,在三維彎曲變形過程中柔性基板可能發生較大幅度的形變,從而OLED發光器件因三維彎曲而被損壞。結構如圖1所示的剛性的像素島20’直接連接在柔性基板10’上,那么顯示器件被三維彎曲變形時會如圖2所示變形,那么圖2中A、B位置必然容易破壞,以致降低顯示器件整體壽命。
發明內容
鑒于現有技術中的上述缺陷或不足,期望提供一種OLED屏體及其制備方法。
第一方面,本申請提供一種OLED屏體,包括可三維曲面性襯底和多個OLED子屏;OLED子屏之間通過可延展引線電性連接;OLED子屏通過可三維延展連接層連接在可三維曲面性襯底上。可三維延展連接層表示連接層不僅在平面內可延展,而且具有一定性能,使其在OLED子屏所在平面法線方向上能夠延展變形。OLED子屏通過可三維延展連接層連接在可三維曲面性襯底上,當OLED屏體變形時,可三維延展連接層隨著可三維曲面性襯底產生一定變形,分散了子屏與襯底連接處作用力,起到了緩沖作用,避免OLED子屏與襯底分離造成破壞,提高OLED屏體整體壽命。
優選的,可三維曲面性襯底上設有可延展輔助電極,使得各個OLED子屏并聯、串聯或者串并聯相結合連接。
優選的,OLED子屏與可延展輔助電極之間電性連接有可熔斷保護器。當其中任何一個或者多個OLED子屏發生短路時,其相連的可熔斷保護器便會熔斷,從而保證可OLED屏體系統不會整體失效。
優選的,可熔斷保護器材質為金屬導體、金屬氧化物導體或者金屬/金屬氧化物的復合材料,優選為熔點低于800℃的金屬導電材料。
優選的,可延展引線與可延展輔助電極為高分子聚合物微管中填充液態金屬形成的彈性導體,或者為Ag、Al、Au、Cu、納米碳管、石墨烯制成的曲線形狀導體。即可延展引線與可延展輔助電極均需具備可變形特性,兩種實現方式:1、依靠彈性材質實現可變性,高分子聚合物微管中填充液態金屬自身具有彈性;2、依靠曲線結構實現可變形,此時曲線結構可以為S型(平滑曲線形狀)或N型(折線形狀)結構。
優選的,可三維曲面性襯底上設有多個透氣孔;透氣孔直徑為0.1μm-10mm。設置透氣孔可以提升OLED屏體透氣性和散熱性。
優選的,可三維曲面性襯底為彈性聚合物材料,材質優選為TPU(熱塑性聚氨酯彈性體)、橡膠或固態PDMS(聚二甲基硅氧烷)。固態的聚二甲基硅氧烷為一種硅膠,無毒、疏水性(hydrophobic)和防水性,惰性物質,且為非易燃性、透明彈性體。
優選的,每個可三維延展連接層與一個或多個OLED子屏連接;可三維延展連接層設置于OLED子屏所在平面上的投影的內部、一邊側或幾邊側,或設置于OLED子屏所在平面上的投影的四角。
優選的,各個OLED子屏相互并聯,且單獨控制驅動,使得整個OLED屏體可以顯示不同形狀。
第二方面,本申請還提供一種上述OLED屏體的制備方法,包括以下步驟:
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





