[發明專利]氮化硅膜蝕刻溶液及使用其的半導體器件的制備方法在審
| 申請號： | 202010553655.7 | 申請日： | 2020-06-17 |
| 公開（公告）號： | CN112322295A | 公開（公告）日： | 2021-02-05 |
| 發明（設計）人： | 柳浩成;金明炫;李浚銀 | 申請（專利權）人： | OCI有限公司 |
| 主分類號： | C09K13/06 | 分類號： | C09K13/06;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人： | 呂琳;宋東穎 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 氮化 蝕刻 溶液 使用 半導體器件 制備 方法 | ||
1.一種氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，
包含：
磷酸水溶液；以及
由下述化學式1表示的化合物，
化學式1：
在上述化學式中，
X1以及X2分別獨立地選自氫、C1-C10的烷基、C1-C10的烷基醇基、C1-C10的烷基胺基、C3-C10的環烷基以及C6-C30的芳基，
Y1以及Y2分別獨立地選自氫、鹵素、胺基、烷氧基、羥基、C1-C10的烷基以及C6-C30的芳基，
R1、R2、R3以及R4分別獨立地選自氫、鹵素、胺基、烷氧基、羥基、硫醇基、砜基、磺酰基以及硫醚基。
2.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述R1、R2、R3以及R4分別獨立地選自氫、胺基、羥基以及烷氧基。
3.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，由上述化學式1表示的化合物為由下述化學式2表示的化合物，
化學式2：
在上述化學式2中，
上述R2以及R3分別獨立地選自氫、胺基、羥基以及烷氧基，
X1、X2、Y1以及Y2的定義如上述化學式1中所述。
4.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，由上述化學式1表示的化合物為由下述化學式3表示的化合物，
化學式3：
在上述化學式3中，
X1、X2、Y1以及Y2的定義如上述化學式1中所述。
5.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蝕刻溶液包含100ppm至500000ppm的由上述化學式1表示的化合物。
6.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蝕刻溶液還包含選自氟化氫、氟化銨、二氟化銨以及氟化氫銨中的至少一種含氟化合物。
7.根據權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液，其特征在于，上述氮化硅膜蝕刻溶液還包含有機類陽離子和氟類陰離子具有離子結合形態的含氟化合物。
8.一種半導體器件的制備方法，其特征在于，包括通過使用權利要求1所述的氮化硅膜蝕刻溶液來進行的蝕刻工序。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于OCI有限公司，未經OCI有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/202010553655.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇：一種觸覺傳感器、制備方法及包括觸覺傳感器的智能設備
- 下一篇：車輛用照明裝置
