[發明專利]顯示設備及其制造方法在審
| 申請號: | 202010553574.7 | 申請日: | 2020-06-17 |
| 公開(公告)號: | CN112103310A | 公開(公告)日: | 2020-12-18 |
| 發明(設計)人: | 吳彥錫;金泂植;崔正珉;金相烈;田宇植 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 | 代理人: | 劉美華;郭文峰 |
| 地址: | 韓國京畿*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 設備 及其 制造 方法 | ||
提供了一種顯示設備及其制造方法。所述顯示設備包括:基底,包括顯示區域以及在顯示區域外部的第一非顯示區域,在顯示區域中布置有薄膜晶體管以及電連接到薄膜晶體管的顯示器件;貫通部分,豎直地穿透基底;第二非顯示區域,在貫通部分與顯示區域之間;以及封裝層,在顯示器件上并且包括順序地堆疊的第一無機封裝層、有機封裝層和第二無機封裝層。第一無機封裝層和第二無機封裝層延伸到貫通部分并且在第二非顯示區域中彼此直接接觸,并且第一無機封裝層在第二非顯示區域中直接接觸其下面的另一無機層。
本申請要求于2019年6月18日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0072418號韓國專利申請的優先權和權益,所述韓國專利申請的全部公開內容通過引用包含于此。
技術領域
一個或更多個實施例的方面涉及一種顯示設備及其制造方法。
背景技術
近來,已經從顯示設備的正面移除了物理按鈕等,并且用于顯示圖像的顯示區域已經擴大。此外,已經介紹了一種顯示設備,在該顯示設備中,用于擴展顯示設備的功能的單獨構件(諸如,相機等)放置在顯示區域中以增大顯示面積。為了將諸如相機的單獨構件放置在顯示區域中,在顯示區域中形成可以定位有單獨構件的凹槽或貫通部分。然而,形成在顯示區域中的凹槽或貫通部分會成為新的可滲透路徑,外部濕氣等可以通過該新的可滲透路徑滲透到顯示區域中。
發明內容
根據一個或更多個實施例的方面,提供了一種顯示設備及該顯示設備的制造方法,在該顯示設備中,防止或基本上防止了外部濕氣等通過顯示區域中的貫通部分的滲透。
附加方面將在下面的描述中部分地闡述,并且部分地將通過該描述而明顯,或者可以通過公開的所呈現的實施例的實踐來獲知。
根據一個或更多個實施例,一種顯示設備包括:基底,包括顯示區域以及在顯示區域外部的第一非顯示區域,在顯示區域中布置有多個薄膜晶體管以及電連接到多個薄膜晶體管的多個顯示器件;貫通部分,在豎直方向上穿透基底;第二非顯示區域,在貫通部分與顯示區域之間;以及封裝層,在多個顯示器件上并且包括順序地堆疊的第一無機封裝層、有機封裝層和第二無機封裝層,其中,第一無機封裝層和第二無機封裝層延伸到貫通部分,并且在第二非顯示區域中彼此直接接觸,并且第一無機封裝層在第二非顯示區域中直接接觸在第一無機封裝層下面的另一無機層。
第一無機封裝層可以在第二非顯示區域中直接接觸基底的上表面。
基底可以包括順序地堆疊的第一基體層、第一阻擋層、第二基體層和第二阻擋層,并且第一無機封裝層可以在第二非顯示區域中直接接觸第二阻擋層。
顯示設備還可以包括:第一無機絕緣層,在多個薄膜晶體管中的每個的半導體層與柵電極之間;以及第二無機絕緣層,在多個薄膜晶體管中的每個的柵電極與源電極之間以及多個薄膜晶體管中的每個的柵電極與漏電極之間,并且在第二非顯示區域中直接接觸第一無機封裝層的另一無機層可以包括第一無機絕緣層或第二無機絕緣層。
顯示設備還可以包括平坦化層,該平坦化層在多個薄膜晶體管與多個顯示器件之間,該平坦化層可以延伸到第二非顯示區域的部分。
多個顯示器件中的每個可以包括在平坦化層上的像素電極、在像素電極上的對電極以及在像素電極與對電極之間的中間層,并且中間層中的至少一些層和對電極可以延伸到平坦化層外部。
在第二非顯示區域中,在貫通部分周圍的第一內部壩可以布置在平坦化層上,并且有機封裝層可以在由第一內部壩分隔的區域外部。
顯示設備還可以包括像素限定層,該像素限定層在平坦化層上并且覆蓋多個顯示器件的像素電極的邊緣,并且第一內部壩可以包括與像素限定層相同的材料。
顯示設備還可以包括第二內部壩,該第二內部壩在第二非顯示區域中并且在與第一內部壩分開的位置處圍繞貫通部分,第二內部壩在平坦化層上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





