[發明專利]導線結構及其制造方法

在審

• 申請號: 202010552795.2
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN113808999A
• 公開（公告）日: 2021-12-17
• 發明（設計）人: 陳皇男
• 申請（專利權）人: 華邦電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/768
• 分類號: H01L21/768;H01L23/528
• 代理公司: 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

本發明提供一種導線結構及其制造方法。導線結構的制造方法包括以下步驟。提供基底。在基底上形成導體層。通過自對準雙重圖案化工藝在導體層上形成矩形環狀間隔件。形成圖案化光刻膠層。圖案化光刻膠層暴露出矩形環狀間隔件的第一部分與第二部分。第一部分與第二部分位于矩形環狀間隔件的對角線上的兩個角落處。利用圖案化光刻膠層作為掩模，移除第一部分與第二部分，而形成第一間隔件與第二間隔件。第一間隔件與第二間隔件為L形。移除圖案化光刻膠層。將第一間隔件的圖案與第二間隔件的圖案轉移至導體層，而形成L形的第一導線與L形的第二導線。上述導線結構的制造方法可提升接觸窗與導線之間的對準裕度。

技術領域

本發明涉及一種半導體元件及其制造方法，尤其涉及一種導線結構及其制造方法。

背景技術

隨著半導體技術的進步，元件的尺寸也不斷地縮小。當積體電路的集成度增加時，導線的臨界尺寸(critical dimension)以及導線與導線之間的距離會隨著縮小。當導線的臨界尺寸縮小時，會導致后續形成的接觸窗難以與導線進行對準，而降低接觸窗與導線之間的對準裕度(alignment margin)。此外，當導線與導線之間的距離縮小時，接觸窗容易同時連接到相鄰兩條導線而產生短路的問題。

發明內容

本發明提供一種導線結構及其制造方法，其可提升接觸窗與導線之間的對準裕度，且可防止在相鄰兩條導線之間產生短路的問題。

本發明提出一種導線結構的制造方法，包括以下步驟。提供基底。在基底上形成導體層。通過自對準雙重圖案化(self-alignment double patterning，SADP)工藝在導體層上形成矩形環狀間隔件(spacer)。形成圖案化光刻膠(photoresist)層。圖案化光刻膠層暴露出矩形環狀間隔件的第一部分與第二部分。第一部分與第二部分位于矩形環狀間隔件的對角線上的兩個角落處。利用圖案化光刻膠層作為掩模，移除第一部分與第二部分，而形成第一間隔件與第二間隔件。第一間隔件與第二間隔件為L形。移除圖案化光刻膠層。將第一間隔件的圖案與第二間隔件的圖案轉移至導體層，而形成L形的第一導線與L形的第二導線。

本發明提出一種導線結構，包括第一導線與第二導線。第二導線位于第一導線的一側。第一導線包括第一導線部與第一接墊(pad)部。第一導線部在第一方向上延伸，且具有第一端與第二端。第一接墊部連接于第一導線部的第一端。第二導線包括第二導線部與第二接墊部。第二導線部在第二方向上延伸，且具有第三端與第四端。第三端鄰近于第一端，且第四端鄰近于第二端。第二方向為第一方向的相反方向。第二接墊部連接于第二導線部的第四端。第一假想延伸部從第一導線部的第二端以遠離第一導線部的第一端的方式在第一方向上延伸。第二假想延伸部從第二導線部的第三端以遠離第二導線部的第四端的方式在第二方向上延伸。第一接墊部朝第二假想延伸部延伸但不與第二假想延伸部相交。第二接墊部朝第一假想延伸部延伸但不與第一假想延伸部相交。

基于上述，在本發明所提出的導線結構的制造方法中，通過自對準雙重圖案化工藝、圖案化工藝與圖案轉移工藝形成L形的第一導線與L形的第二導線，因此可有效地簡化工藝，以降低工藝復雜性。此外，由上述方法所制作的L形的第一導線與L形的第二導線可增加用來與后續形成的接觸窗進行電性連接的面積，因此可有效地提高接觸窗與第一導線之間的對準裕度以及接觸窗與第二導線之間的對準裕度。此外，通過上述方法可彈性調整第一導線與第二導線之間的距離，因此可防止因接觸窗同時連接到第一導線與第二導線所產生的短路問題。

此外，在本發明所提出的導線結構中，由于第一導線與第二導線分別具有第一接墊部與第二接墊部，因此可有效地提高接觸窗與第一導線之間的對準裕度以及接觸窗與第二導線之間的對準裕度。另外，由于第一接墊部朝第二假想延伸部延伸但不與第二假想延伸部相交，且第二接墊部朝第一假想延伸部延伸但不與第一假想延伸部相交，因此可防止因接觸窗同時連接到第一導線與第二導線所產生的短路問題。

為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合附圖作詳細說明如下。

附圖說明