[發明專利]光檢測器件及電子裝置在審
| 申請號: | 202010552753.9 | 申請日: | 2014-06-20 |
| 公開(公告)號: | CN111799288A | 公開(公告)日: | 2020-10-20 |
| 發明(設計)人: | 桝田佳明;宮波勇樹;阿部秀司;平野智之;山口征也;蛯子芳樹;渡邊一史;荻田知治 | 申請(專利權)人: | 索尼公司 |
| 主分類號: | H01L27/146 | 分類號: | H01L27/146;H01L31/0203;H01L31/0232;H01L31/10;H04N5/225;H04N5/359;H04N5/369;H04N5/374;H04N9/04;G02B1/118 |
| 代理公司: | 北京信慧永光知識產權代理有限責任公司 11290 | 代理人: | 李晗;曹正建 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 器件 電子 裝置 | ||
1.一種光檢測器件,其包括:
半導體基板,所述半導體基板的光接收表面包含第一蛾眼結構和第二蛾眼結構;
第一光電轉換區域,所述第一光電轉換區域位于所述半導體基板中;
第二光電轉換區域,所述第二光電轉換區域位于所述半導體基板中,且所述第二光電轉換區域鄰近所述第一光電轉換區域;
溝槽,所述溝槽布置在所述第一光電轉換區域和所述第二光電轉換區域之間;
第一濾色器,所述第一濾色器布置在所述第一蛾眼結構上方;和
第二濾色器,所述第二濾色器布置在所述第二蛾眼結構上方,
其中,所述第一光電轉換區域構造為接收穿過所述第一濾色器和所述第一蛾眼結構的第一光,且所述第二光電轉換區域構造為接收穿過所述第二濾色器和所述第二蛾眼結構的第二光,
其中,所述第一濾色器的峰值光譜靈敏度不同于所述第二濾色器的峰值光譜靈敏度,且
其中,所述第一蛾眼結構與所述第二蛾眼結構具有相同形狀。
2.如權利要求1所述的光檢測器件,其中,所述第一蛾眼結構包含多個第一凹入部,且所述第二蛾眼結構包含多個第二凹入部。
3.如權利要求2所述的光檢測器件,其中,所述第一蛾眼結構中所述第一凹入部的數量等于所述第二蛾眼結構中所述第二凹入部的數量。
4.如權利要求2所述的光檢測器件,其中,所述第一蛾眼結構中相鄰的所述第一凹入部之間的間距等于所述第二蛾眼結構中相鄰的所述第二凹入部之間的間距。
5.如權利要求2所述的光檢測器件,其中,在剖面圖中,在深度方向上,所述第一蛾眼結構中所述第一凹入部的深度與所述第二蛾眼結構中所述第二凹入部的深度相同。
6.如權利要求1所述的光檢測器件,其中,所述溝槽中填充有絕緣材料。
7.如權利要求6所述的光檢測器件,其中,在所述絕緣材料中填充有遮光材料。
8.如權利要求1所述的光檢測器件,其中,在所述第一光電轉換區域和所述第二光電轉換區域之間的沒有形成所述第一蛾眼結構和所述第二蛾眼結構的部分中形成有平坦部。
9.如權利要求8所述的光檢測器件,其中,在所述平坦部上形成有遮光膜。
10.一種包括如權利要求1-9中任一項所述的光檢測器件的電子裝置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





