[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 202010552736.5
• 申請日: 2020-06-17
• 公開（公告）號: CN112447668A
• 公開（公告）日: 2021-03-05
• 發明（設計）人: 楊岱宜;朱韋臻;王永智;吳佳典;陳欣蘋;眭曉林
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/528
• 分類號: H01L23/528;H01L21/768
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 聶慧荃;閆華

一種半導體裝置，包含導線、接觸導線的導電通孔、第一介電材料及第二介電材料。第一介電材料接觸導電通孔的第一側壁表面，第二介電材料接觸導電通孔的第二側壁表面。第一介電材料包含第一材料組合物，且第二介電材料包含與第一材料組合物不同的第二材料組合物。

技術領域

本發明實施例涉及半導體技術，尤其涉及半導體裝置及其制造方法。

背景技術

觸點用于在半導體裝置中的不同特征內或不同特征之中建立電連接。舉例而言，觸點是用于連接一個金屬層至另一金屬層或裝置層，否則金屬層與裝置層彼此電絕緣，諸如通過使金屬層彼此分離或使金屬層與裝置層彼此分離的介電材料。

發明內容

本發明實施例的目的在于提供一種半導體裝置，以解決上述至少一個問題。

一實施例提供一種半導體裝置，其包含導線、接觸導線的導電通孔、第一介電材料及第二介電材料。一第一介電材料接觸所述導電通孔的一第一側壁表面；一第二介電材料接觸所述導電通孔的一第二側壁表面，其中，所述第一介電材料包含一第一材料組合物，且所述第二介電材料包含與所述第一材料組合物不同的一第二材料組合物。

另一實施例是提供一種半導體裝置的制造方法，其包含形成一第一介電層；形成一第一導電材料在所述第一介電層中的一第一溝槽中；突出于所述第一溝槽之上的所述第一導電材料用以定義一第一導電柱；橫向形成一第二介電層以相鄰所述第一導電柱；移除所述第一導電柱的一部分以定義在所述第二介電層中的一第一通孔凹部；形成一第三介電層于所述第二介電層之上且在所述第一通孔凹部中；移除在所述第一通孔凹部中的所述第三介電層中的一第一部分；及形成一第二導電材料于所述第一通孔凹部中及于所述第一通孔凹部之上，以定義一第一導線及電性耦合所述第一導線至所述第一導電柱的一導電通孔。

又另一實施例是提供一種半導體裝置的制造方法，其包含形成一第一介電層；形成一第一導線在所述第一介電層中；移除所述第一導線的一部分以定義一導電柱；橫向形成一第二介電層以相鄰所述導電柱；移除所述導電柱的一部分與所述第一導線的一部分，以定義在所述第二介電層中的一通孔凹部；形成一第三介電層于所述第二介電層之上且在所述通孔凹部中；形成在所述第三介電層中的一溝槽；移除通過所述溝槽暴露的在所述通孔凹部中的所述第三介電層的一第一部分；及形成一導電材料于所述溝槽及所述通孔凹部中，以定義一第二導線及電性耦合所述第二導線至所述第一導線的一導電通孔；其中，保留于所述通孔凹部中的所述第三介電層的一第二部分位于所述導電通孔的一側壁表面及所述第二介電層之間。

附圖說明

根據以下的詳細說明并配合所附附圖做完整公開。應注意的是，根據本產業的一般作業，附圖并未必按照比例繪制。事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸，以做清楚的說明。

圖1至圖16是根據一些實施例的處于制造的各個階段的半導體裝置的附圖。

附圖標記如下：

2:晶體管

4:鰭片

6:隔離結構

8:柵極結構

10:側壁間隙物

12:區域

100:半導體裝置

105:半導體層

110:裝置層

115:第一金屬化層

120,135,185,195:介電層

125:柵極觸點

130,140,190:蝕刻停止層

145,170:犧牲層