[發(fā)明專利]用于襯底的表面處理的方法和設(shè)備在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 202010552512.4 | 申請日： | 2014-06-24 |
| 公開（公告）號： | CN111549328A | 公開（公告）日： | 2020-08-18 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | M.溫普林格 | 申請（專利權(quán)）人： | EV集團(tuán)E·索爾納有限責(zé)任公司 |
| 主分類號： | C23C14/48 | 分類號： | C23C14/48;H01L21/20;H01L21/762 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 盧江;劉春元 |
| 地址： | 奧地利圣*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 用于 襯底 表面 處理 方法 設(shè)備 | ||
1.一種用于襯底（1）的襯底表面（1o）的表面處理的設(shè)備，具有：
用于接納所述襯底（1）的處理室，和
用于在非晶層（2、2'、2）在所述襯底表面（1o）處形成的情況下使所述襯底表面（1o）非晶化的裝置，其中所述非晶層（2、2'、2）的厚度d＞0nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述非晶化進(jìn)行直至所述非晶層（2、2'、2）的厚度d＜100nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述非晶化進(jìn)行直至所述非晶層（2、2'、2）的厚度dd＜50nm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述非晶化進(jìn)行直至所述非晶層（2、2'、2）的厚度d＜10nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述非晶化進(jìn)行直至所述非晶層（2、2'、2）的厚度d＜5nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述非晶化進(jìn)行直至所述非晶層（2、2'、2）的厚度d＜2nm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化被執(zhí)行，使得所述襯底表面（1o、1o'）的平均粗糙度減小。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化被執(zhí)行，使得所述襯底表面（1o、1o'）的平均粗糙度減小到小于10nm的平均粗糙度。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化被執(zhí)行，使得所述襯底表面（1o、1o'）的平均粗糙度減小到小于8nm的平均粗糙度。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化被執(zhí)行，使得所述襯底表面（1o、1o'）的平均粗糙度減小到小于6nm的平均粗糙度。
11.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化被執(zhí)行，使得所述襯底表面（1o、1o'）的平均粗糙度減小到小于4nm的平均粗糙度。
12.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化被執(zhí)行，使得所述襯底表面（1o、1o'）的平均粗糙度減小到小于2nm的平均粗糙度。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化通過以粒子與所述襯底表面（1o、1o'）的粒子碰撞被引起。
14.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化通過以離子與所述襯底表面（1o、1o'）的粒子碰撞被引起。
15.根據(jù)權(quán)利要求1至6之一所述的設(shè)備，其中所述非晶化通過以粒子與所述襯底表面（1o、1o'）的粒子碰撞通過加速所述粒子被引起。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中能夠自由地選擇以及設(shè)置在襯底表面（1o、1o'）與離子束之間的入射角，其中所述入射角位于75°與90°之間。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的設(shè)備，其中所述入射角為90°。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述粒子的動能被設(shè)置為在1eV與1000keV之間。
19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述粒子的動能被設(shè)置為在1eV與100keV之間。
20.根據(jù)權(quán)利要求13所述的設(shè)備，其中所述粒子的動能被設(shè)置為在1eV與10keV之間。
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C23C 對金屬材料的鍍覆；用金屬材料對材料的鍍覆；表面擴(kuò)散法，化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理；真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆，例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理
