[發明專利]一種基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法

有效

• 申請號: 202010551301.9
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111799377B
• 公開（公告）日: 2022-08-26
• 發明（設計）人: 陳淑芬;顧雯文;陳俊文;曹昆;黃維
• 申請（專利權）人: 南京郵電大學
• 主分類號: H01L51/42
• 分類號: H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 冒艷

1.一種基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法，其特征在于：向鈣鈦礦材料中摻雜含氯化合物，制得鹵化物鈣鈦礦薄膜，所述含氯化合物為2,3-DAPAC。

2.根據權利要求1所述的基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法，其特征在于：包括如下步驟：

（1）將含氯化合物、金屬源化合物和有機/無機源鹵化物混合，溶于有機溶劑中，配制成前驅體溶液；

（2）將上述前驅體溶液旋涂在ITO/空穴傳輸層/玻璃基片上，旋涂過程中滴加反溶劑，熱退火后得到鹵化物鈣鈦礦薄膜。

3.根據權利要求2所述的基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法，其特征在于：所述步驟（1）中金屬源化合物為鉛基源化合物或錫基源化合物；所述有機/無機源鹵化物為甲脒碘或甲胺碘。

4.根據權利要求2所述的基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法，其特征在于：所述步驟（1）中有機溶劑為DMF或DMSO中的一種或兩種的混合液。

5.根據權利要求2所述的基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法，其特征在于：所述步驟（2）中的鹵化物鈣鈦礦薄膜應用于鈣鈦礦光電器件。

6.根據權利要求5所述的基于含氯化合物調節鈣鈦礦晶體取向提升鈣鈦礦光電器件性能的方法，其特征在于：所述于鈣鈦礦光電器件包括ITO電極、空穴傳輸層、含氯化合物摻雜的鈣鈦礦薄膜、電子傳輸層、空穴阻擋層和金屬電極。