[發明專利]全方位高導熱的電磁屏蔽材料及其制備方法在審
| 申請號: | 202010550652.8 | 申請日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN111726977A | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發明(設計)人: | 胡耀池;陳繼良;胡孟;謝琦林 | 申請(專利權)人: | 東莞市弗勒特電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H05K9/00 | 分類號: | H05K9/00;C08L83/07;C08L83/05;C08K13/04;C08K7/18;C08K3/22;C08K3/28;C08K3/34;C08K3/38;C08J5/18 |
| 代理公司: | 汕頭市南粵專利商標事務所(特殊普通合伙) 44301 | 代理人: | 余建國 |
| 地址: | 523000 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 全方位 導熱 電磁 屏蔽 材料 及其 制備 方法 | ||
1.全方位高導熱的電磁屏蔽材料,具有片狀結構,其特征在于,片狀結構包括電磁屏蔽層,電磁屏蔽層的正反兩面皆設有導熱儲熱層,導熱儲熱層系通過壓延結合在電磁屏蔽層表面的硅膠基料,硅膠基料中含有均勻分散的導熱粉體和/或儲熱粉體。
2.如權利要求1所述的全方位高導熱的電磁屏蔽材料,其特征在于,所述片狀結構水平放置時,Z方向導熱系數為0-15W/m?K,X方向、Y方向導熱系數為2-50W/m?K,拉伸強度為6.5-18MPa,儲熱值為0-180J/g,磁導率為35000-120000Gs。
3.如權利要求1所述的全方位高導熱的電磁屏蔽材料,其特征在于,所述硅膠基料采用質量百分比總和為100%的組份混合而成:
乙烯基硅油4-30%,其粘度為100-10000cps;
含氫硅油0.1-2.0%,其含氫量為0.1-0.5m/m%;
反應抑制劑0.02-1%,系1-乙炔基-1-環己醇含量為10-99.8m/m%的溶液;
鉑金催化劑0.1-1%,系鉑金含量為1000-5000ppm的溶液;
色母0-0.5%;
導熱粉體0-94%,系氫氧化鋁、α球形氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、氮化硼中的一種或多種粉體,在0.3μm-120μm范圍內取多種粒徑的粉體復配填充而成;
儲熱粉體0-68%,系相變微膠囊、有機相變物-多微孔基質復合材料、聚乙二醇接枝高聚物、聚乙二醇-聚氨酯嵌段共聚物的一種或多種粉體,其粒徑為10μm-120μm,其相變儲熱區間為35~80℃,儲熱值在100-300J/g。
4.如權利要求1所述的全方位高導熱的電磁屏蔽材料,其特征在于,所述電磁屏蔽層為包括但不限于銅網、鋁網、不銹鋼網的金屬網,其網孔的直徑為0.04-0.15mm,其厚度為0.03-0.3mm。
5.如權利要求1所述的全方位高導熱的電磁屏蔽材料,其特征在于,所述電磁屏蔽層為包括但不限于銅片、鋁片、不銹鋼片的金屬片,其厚度為0.03-0.3mm。
6.全方位高導熱的電磁屏蔽材料的制備方法,其特征在于,采用如下步驟:
S1、制備硅膠基料
取質量百分比總和為100%的下列組份——
乙烯基硅油4-30%,其粘度為100-10000cps;
含氫硅油0.1-2.0%,其含氫量為0.1-0.5m/m%;
反應抑制劑0.02-1%,系1-乙炔基-1-環己醇含量為10-99.8m/m%的溶液;
鉑金催化劑0.1-1%,系鉑金含量為1000-5000ppm的溶液;
色母0-0.5%;
導熱粉體0-94%,系氫氧化鋁、α球形氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、氮化硼中的一種或多種粉體,在0.3μm-120μm范圍內取多種粒徑的粉體復配填充而成;
儲熱粉體0-68%,其儲熱值為100-300J/g;
上述組份攪拌均勻,獲得硅膠基料;
S2、成型導熱儲熱層
提供一平鋪的下層離型膜,在下層離型膜上涂覆一層硅膠基料,再將一電磁屏蔽層疊放在硅膠基料上,然后經壓延機將下層離型膜上的硅膠基料壓延結合在電磁屏蔽層的反面,以在電磁屏蔽層的反面獲得導熱儲熱層;
在電磁屏蔽層的頂面在涂覆一層硅膠基料,再覆蓋一平鋪的上層離型膜,然后經壓延機將上層離型膜覆蓋的硅膠基料壓延結合在電磁屏蔽層的正面,以在電磁屏蔽層的正面也獲得導熱儲熱層;
S3、烘烤坯料
電磁屏蔽層的正反兩面皆獲得導熱儲熱層之后,經隧道烤箱烘烤,獲得成品。
7.如權利要求6所述的全方位高導熱的電磁屏蔽材料的制備方法,其特征在于,所述步驟S1中,系先行機械攪拌20min,然后再抽真空攪拌30min,獲得脫泡的硅膠基料。
8.如權利要求6所述的全方位高導熱的電磁屏蔽材料的制備方法,其特征在于,所述步驟S3中,烘烤溫度為120℃,烘烤時間為10-30分鐘。
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