[發(fā)明專利]一種鈣鈦礦太陽(yáng)能電池及其制備方法和用途在審
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 202010549638.6 | 申請(qǐng)日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號(hào): | CN113809236A | 公開(公告)日: | 2021-12-17 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 欒乙剛;王吉政;莊晶;魏源志;陳寧利 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)科學(xué)院化學(xué)研究所 |
| 主分類號(hào): | H01L51/42 | 分類號(hào): | H01L51/42;H01L51/44;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司: | 北京知元同創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11535 | 代理人: | 聶稻波;謝怡婷 |
| 地址: | 100190 *** | 國(guó)省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 鈣鈦礦 太陽(yáng)能電池 及其 制備 方法 用途 | ||
1.一種n-i-p結(jié)構(gòu)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,所述鈣鈦礦太陽(yáng)能電池包括自下而上依次設(shè)置的透明導(dǎo)電基底、電子傳輸層、鈣鈦礦活性層、空穴傳輸層和電極層;
其中,所述電子傳輸層包括SnO2和添加劑,所述添加劑選自氟醇類化合物,所述鈣鈦礦活性層為(FAPbI3)1-x(MAPbBr3-yCly)x,0x0.03,0y0.05。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,其中,所述透明導(dǎo)電基底選自ITO,所述透明導(dǎo)電基底的厚度為130-150nm;
所述電子傳輸層的厚度為20-30nm;
所述鈣鈦礦活性層的厚度為650-720nm;
所述空穴傳輸層為2,2',7,7'-四[N,N-二(4-甲氧基苯基)氨基]-9,9'-螺二芴(Spiro-OMeTAD)或聚-3己基噻吩(P3HT),其厚度為150-200nm;
所述電極層為金或銀,其厚度為60~80nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池,其中,所述氟醇類化合物選自二氟乙醇、四氟丙醇、六氟丁醇、六氟異丙醇中的任意一種;
所述SnO2和添加劑的質(zhì)量比為0.5-8:1。
4.權(quán)利要求1-3任一項(xiàng)所述的鈣鈦礦太陽(yáng)能電池的制備方法,包括以下步驟:
1)配制含有添加劑和SnO2膠體的前驅(qū)體溶液,將前驅(qū)體溶液涂覆在透明導(dǎo)電基底表面,退火,氧等離子體處理,制備得到電子傳輸層;
2)分別配制PbI2溶液和混合銨鹽溶液,將PbI2溶液和混合銨鹽溶液依次涂覆到步驟1)的電子傳輸層表面,退火處理,制備得到鈣鈦礦活性層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的制備方法,其中,所述方法還包括如下步驟:
3)配制空穴傳輸溶液,將空穴傳輸溶液涂覆在步驟2)的鈣鈦礦活性層表面,氧化處理,制備得到空穴傳輸層;
4)在步驟3)的空穴傳輸層表面蒸鍍金屬,制備得到電極層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的制備方法,其中,步驟1)中,所述含有添加劑和SnO2膠體的前驅(qū)體溶液中包括添加劑、超純水和SnO2膠體;其中,所述添加劑與超純水的體積比為0.05-0.8:1,所述SnO2膠體在前驅(qū)體溶液中的質(zhì)量分?jǐn)?shù)為2-5wt%。
優(yōu)選地,步驟1)中,所述退火是在空氣氣氛中進(jìn)行的。所述退火的溫度為100-180℃,所述退火的時(shí)間為15-50分鐘。
7.根據(jù)權(quán)利要求4-6任一項(xiàng)所述的制備方法,其中,步驟1)中,所述氧等離子體處理的時(shí)間為1-10分鐘,所述氧等離子體處理的功率為60W~140W,所述氧等離子體處理的氧氣流速為0.02-0.1L/h。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L51-00 使用有機(jī)材料作有源部分或使用有機(jī)材料與其他材料的組合作有源部分的固態(tài)器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設(shè)備
H01L51-05 .專門適用于整流、放大、振蕩或切換且并具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的;具有至少一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或表面勢(shì)壘的電容器或電阻器
H01L51-42 .專門適用于感應(yīng)紅外線輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉(zhuǎn)換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發(fā)射的,如有機(jī)發(fā)光二極管
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