[發明專利]一種氮化鎵外延芯片及其制備方法在審
| 申請號： | 202010549161.1 | 申請日： | 2020-06-16 |
| 公開（公告）號： | CN111628061A | 公開（公告）日： | 2020-09-04 |
| 發明（設計）人： | 李東鍵;葉宏倫;鐘健;鐘其龍;劉崇志;張本義 | 申請（專利權）人： | 璨隆科技發展有限公司;阿克蘇愛矽卡半導體技術研發有限公司;新疆璨科半導體材料制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/32 | 分類號： | H01L33/32;H01L33/04;H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 廈門市新華專利商標代理有限公司 35203 | 代理人： | 羅恒蘭 |
| 地址： | 210000 江蘇省南京市江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 氮化 外延 芯片 及其 制備 方法 | ||
1.一種氮化鎵外延芯片，其特征在于：包括襯底、種子層、緩沖層和氮化鎵外延層，所述種子層設于襯底上，所述緩沖層設于種子層和氮化鎵外延層之間；所述緩沖層包括兩組以上的AlxGa1-xN層，各組AlxGa1-xN層的x值不相同。
2.根據權利要求1所述的一種氮化鎵外延芯片，其特征在于：所述緩沖層中各組AlxGa1-xN層的x值由種子層向氮化鎵外延層方向依次遞減。
3.根據權利要求1或2所述的一種氮化鎵外延芯片，其特征在于：所述AlxGa1-xN層的x值為0.2-0.85。
4.根據權利要求1所述的一種氮化鎵外延芯片，其特征在于：所述緩沖層的各組AlxGa1-xN層的厚度由種子層向氮化鎵外延層方向依次遞減。
5.根據權利要求1所述的一種氮化鎵外延芯片，其特征在于：所述緩沖層的厚度為200-300nm，而每一組AlxGa1-xN層的厚度為10-100nm。
6.根據權利要求1所述的一種氮化鎵外延芯片，其特征在于：所述種子層為氮化鋁層，其厚度為100-200nm。
7.一種氮化鎵外延芯片的制備方法，其特征在于：襯底上依次生長種子層、緩沖層和氮化鎵外延層，所述緩沖層包括n組AlxGa1-xN層，具體生長過程如下：
在襯底上生長氮化鋁種子層；
在種子層依次生長Alx1Ga1-x2N層、Alx1Ga1-x2N層…、AlxnGa1-xnN層，形成緩沖層；
在緩沖層的AlxnGa1-xnN層上生長氮化鎵外延層。
8.根據權利要求7所述的一種氮化鎵外延芯片的制備方法，其特征在于：所述種子層、緩沖層和氮化鎵外延層的生長方法為氫化物氣相外延法、分子束外延法或有機金屬化學氣相沉積法。
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