[發明專利]一種具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構

有效

• 申請號: 202010549015.9
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111653551B
• 公開（公告）日: 2022-06-10
• 發明（設計）人: 李妤晨
• 申請（專利權）人: 西安科技大學
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552;H01L23/498
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 李園園

1.一種具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構，其特征在于，包括：裸芯片(100)和封裝件(200)，其中，

所述裸芯片(100)包括裸芯片主體(101)，所述裸芯片主體(101)上設置有屏蔽結構(102)以及若干第一引腳(103)，若干所述第一引腳(103)均與所述屏蔽結構(102)連接；

所述封裝件(200)包括基板(201)、第一焊盤(202)以及若干第一焊球(203)，所述第一焊盤(202)設置在所述基板(201)上，所述裸芯片主體(101)安裝在所述基板(201)上，若干所述第一焊球(203)設置在所述基板(201)的底部，且通過貫通所述基板(201)的若干通孔(204)與所述第一焊盤(202)形成電氣連接；

所述第一引腳(103)通過第一鍵合線(300)與所述第一焊盤(202)連接，所述第一引腳(103)作為所述屏蔽結構(102)的引腳，所述第一焊盤(202)作為屏蔽用焊盤，通過所述第一鍵合線(300)連接所述第一引腳(103)和所述第一焊盤(202)，在所述裸芯片主體(101)的表面形成了包裹所述裸芯片主體(101)的屏蔽殼；

所述屏蔽結構(102)利用所述裸芯片主體(101)的頂層金屬加工制作而成；

所述屏蔽結構(102)的厚度大于或等于需屏蔽電磁波在所述裸芯片主體(101)頂層材料中的趨膚深度；所述屏蔽結構(102)為金屬網狀結構，所述金屬網狀結構的網格尺寸小于或等于需屏蔽電磁波波長的1/10，網線寬度小于或等于所述第一引腳(103)的寬度；

相鄰所述第一引腳(103)之間的間距小于或等于需屏蔽電磁波波長的1/10；所述第一引腳(103)的鍵合點與所述第一焊盤(202)的鍵合點之間的距離小于或等于需屏蔽電磁波波長的1/10。

2.根據權利要求1所述的具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構，其特征在于，所述裸芯片(100)包括若干第二引腳(104)，所述第二引腳(104)和所述第一引腳(103)間隔設置在所述裸芯片主體(101)上。

3.根據權利要求2所述的具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝件(200)包括第二焊盤(205)以及若干第二焊球(206)，其中，

所述第二焊盤(205)設置在所述基板(201)上，且通過第二鍵合線(400)與所述第二引腳(104)連接；

若干所述第二焊球(206)設置在所述基板(201)的底部，且與所述第二焊盤(205)形成電氣連接。

4.根據權利要求3所述的具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構，其特征在于，所述封裝件(200)還包括封裝外殼(207)，所述封裝外殼(207)用于對所述裸芯片(100)進行密封保護，所述基板(201)的下表面位于所述封裝外殼(207)外部。

5.根據權利要求1所述的具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構，其特征在于，若干所述第一焊球(203)呈陣列式分布在所述基板(201)的底部，與所述裸芯片主體(101)的安裝位置相對應，且若干所述第一焊球(203)在所述基板(201)底部所占面積不超過所述裸芯片主體(101)底面積的1.5倍。

6.根據權利要求1所述的具有高抗電磁脈沖干擾能力的BGA芯片封裝結構，其特征在于，所述第一焊球(203)的直徑小于或等于需屏蔽電磁波波長的1/10，相鄰所述第一焊球(203)之間的間距小于或等于需屏蔽電磁波波長的1/10。