[發(fā)明專利]耐腐蝕涂層形成方法和裝置、等離子體零部件和反應(yīng)裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010548424.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN113808935A
• 公開(kāi)（公告）日: 2021-12-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段蛟;孫祥;陳星建;杜若昕
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/3065
• 分類號(hào): H01L21/3065;H01L21/308
• 代理公司: 深圳中創(chuàng)智財(cái)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44553
• 代理人: 文言;田宇

1.一種耐腐蝕涂層形成方法，所述方法在一真空反應(yīng)腔內(nèi)進(jìn)行，其特征在于，包括以下步驟：

在所述反應(yīng)腔內(nèi)放置襯底，所述襯底包括第一表面以及第二表面，所述第一表面和第二表面呈第一夾角；

在所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置靶材，激發(fā)所述靶材提供分子流用于對(duì)所述襯底進(jìn)行涂覆；

在所述反應(yīng)腔內(nèi)設(shè)置至少兩個(gè)增強(qiáng)源，所述增強(qiáng)源增強(qiáng)分子流能量，所述增強(qiáng)源中至少有一個(gè)增強(qiáng)源既增強(qiáng)靶材提供的分子流能量，同時(shí)改變分子流運(yùn)動(dòng)方向；

所述分子流在所述第一表面和第二表面沉積形成耐腐蝕涂層。

2.如權(quán)利要求1所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述增強(qiáng)源包括第一增強(qiáng)源和第二增強(qiáng)源，所述第一增強(qiáng)源將靶材提供的分子流以預(yù)定速度輸送至襯底第一表面，所述第二增強(qiáng)源將靶材蒸發(fā)的分子流以預(yù)定速度輸送至襯底第二表面。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述第一夾角大于等于45°，小于等于145°。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述第一增強(qiáng)源的增強(qiáng)方向與第一表面的法線夾角小于等于60°，所述第二增強(qiáng)源的增強(qiáng)方向與所述第二表面的法線方向夾角小于等于60°。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述第一增強(qiáng)源和所述第二增強(qiáng)源之間的夾角大于等于45°，且小于等于135°。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述增強(qiáng)源數(shù)量為兩個(gè)以上，增強(qiáng)源在真空腔體內(nèi)圍繞襯底呈對(duì)稱分布。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述增強(qiáng)源中相鄰增強(qiáng)源之間的夾角大于等于45°，且小于等于135°。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述增強(qiáng)源為等離子體源、離子束源、微波源或射頻源中的至少一種。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種耐腐蝕涂層形成方法，其特征在于，所述耐腐蝕涂層包括稀土元素氧化物、氟化物和氟氧化物中的至少一種。

10.一種耐等離子體腐蝕零部件，其特征在于，所述零部件包括襯底，所述襯底包括第一表面以及與所述第一表面呈預(yù)定夾角的第二表面，所述第一表面和第二表面涂覆有如權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)方法制備的耐腐蝕涂層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種耐等離子體腐蝕零部件，其特征在于，所述耐腐蝕涂層的生長(zhǎng)方向與等離子體刻蝕零部件表面的法線方向平行，具有致密結(jié)構(gòu)。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種等離子體刻蝕零部件，其特征在于，所述耐腐蝕涂層包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少一種。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種等離子體刻蝕零部件，其特征在于，所述耐腐蝕涂層包括稀土元素Y、Sc、La、Ce、Pr、Nd、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu的氧化物、氟化物、氟氧化物中的至少一種。

14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種等離子體刻蝕零部件，其特征在于，所述耐腐蝕涂層的厚度大于等于1nm，且小于等于200μm。

15.一種等離子體反應(yīng)裝置，其特征在于，包括反應(yīng)腔及設(shè)置在所述反應(yīng)腔內(nèi)如權(quán)利要求10-14任一所述的等離子體刻蝕零部件。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的一種等離子體反應(yīng)裝置，其特征在于，所述反應(yīng)腔的內(nèi)部腔壁表面具有如權(quán)利要求1-9任一所述的耐腐蝕涂層形成方法獲得的涂層。