[發明專利]一種硅片微缺陷測試方法

在審

• 申請號: 202010548251.9
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111781243A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 周迎朝;由佰玲;鄧春星;董楠;原宇樂;武衛;劉建偉;劉園;祝斌;劉姣龍;裴坤羽;孫晨光;王彥君;常雪巖;楊春雪;謝艷;袁祥龍;張宏杰;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: G01N25/72
• 分類號: G01N25/72
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，步驟包括：

對硅片進行氧化處理，以使所述硅片內的缺陷成核并長大；

再對氧化后的所述硅片進行解理，以獲得半圓形所述硅片；

在任一半圓形所述硅片拋光面上靠近直徑邊處一側設置若干測試點，并對半圓形所述硅片上的所述測試點對應的位置進行微缺陷分析，即可獲得所述測試點對應的所述微缺陷顆粒密度和潔凈區寬度，所述微缺陷顆粒密度較大值對應的所述測試點的位置即為所述硅片氧沉淀富集區。

2.根據權利要求1所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，所述硅片的氧化處理步驟，具體包括在氧氣條件下：

預氧化：所述硅片在設定第一溫度下恒溫預氧化處理一段時間；

氧化：所述第一溫度升溫到第二溫度后，在所述第二溫度下恒溫氧化處理一段時間；

后氧化：在所述第二溫度逐步降到第三溫度過程中，氧化設定時間后，使所述硅片出爐再自然降溫處理。

3.根據權利要求2所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，所述第一溫度與所述第二溫度相同，均為700-800℃；

所述第二溫度為900-1050℃；

所述預氧化時間和所述后氧化時間均小于所述氧化時間，且所述氧化時間為15-18h。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，解理所述硅片的步驟包括：沿設置在所述硅片邊緣的V槽頂角所在直徑作為解理邊，并沿該直徑邊垂直于所述硅片的面為解理面進行解理。

5.根據權利要求4所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，所述V槽位置在所述硅片110晶向上。

6.根據權利要求5所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，解理所述硅片還包括向所述硅片解理面吹氮氣，以防止所述硅片解理面粘附雜質。

7.根據權利要求1-3、5-6任一項所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，所述測試點均設置在半圓形所述硅片拋光面的直徑邊上，并相對于所述硅片圓心對稱分布。

8.根據權利要求7所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，所述測試點均勻間隔設置，所述測試點間隔距離為2-20mm。

9.根據權利要求8所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，最外側所述測試點距離所述硅片外圓邊有一定距離。

10.根據權利要求8或9所述的一種硅片微缺陷測試方法，其特征在于，測試時將設有所述測試點的所述硅片的拋光面水平放置并使所述硅片拋光面朝下放置。