[發明專利]一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法

在審

• 申請號: 202010548224.1
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111781204A
• 公開（公告）日: 2020-10-16
• 發明（設計）人: 由佰玲;原宇樂;周迎朝;鄧春星;董楠;武衛;劉建偉;劉園;祝斌;劉姣龍;裴坤羽;孫晨光;王彥君;常雪巖;楊春雪;謝艷;袁祥龍;張宏杰;劉秒;呂瑩;徐榮清
• 申請（專利權）人: 天津中環領先材料技術有限公司;中環領先半導體材料有限公司
• 主分類號: G01N21/88
• 分類號: G01N21/88;G01N21/95;G01N21/84;G01N1/28;G01N1/32;G01N1/34;G01N1/44
• 代理公司: 天津諾德知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 12213
• 代理人: 欒志超

1.一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，步驟包括：

在所述圓硅片平面上選擇若干組徑向對稱的測試點；

對所述圓硅片與所述測試點對應的位置進行微缺陷顆粒分析，每組所述測試點所對應的所述微缺陷顆粒數量一致或一差值，其中，

位于對應所述微缺陷顆粒數量最多的一組所述測試點的位置之間且對應所述微缺陷顆粒數量較少的相鄰若干組所述測試點的位置均在所述圓硅片的環狀層錯位置上；

位于對應所述微缺陷顆粒數量最多的一組所述測試點的位置之間并以所述微缺陷顆粒數量較少的相鄰若干組所述測試點的位置為半徑畫圓所圍成的環形區域即為所述環狀層錯。

2.根據權利要求1所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，所述測試點位置均位于所述圓硅片同一個半圓內，且最外側所述測試點距離所述圓硅片外圓邊緣距離至少10-15mm。

3.根據權利要求2所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，所述測試點沿所述圓硅片的半圓直徑方向等距離間隔設置，且所述測試點相對于所述圓硅片圓心對稱。

4.根據權利要求1-3任一項所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，所述測試點均設置在與所述圓硅片直徑平行的同一條直線上；相鄰所述測試點的間隔距離不超過10mm。

5.根據權利要求4所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，每組所述測試點所對應的所述微缺陷顆粒數量的所述差值占其平均所示微缺陷顆粒數量的比值大于0且小于3％。

6.根據權利要求1-3、5任一項所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，以所述測試點的位置為X軸，以所述微缺陷顆粒數量為Y軸，依次連接所述測試點相對應的所述微缺陷顆粒數量形成一曲線波形分布圖，所述波形分布圖相對于圓心位置軸線對稱。

7.根據權利要求6所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，所述波形分布圖中兩個所述微缺陷顆粒數量峰值相同或在所述差值范圍內，且其對應的所述測試點位置相對于所述圓心對稱；位于所述微缺陷顆粒數量峰值之間的谷值所對應的所述測試點位置在所述環形層錯內。

8.根據權利要求1-3、5、7任一項所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，在所述圓硅片平面上設置所述測試點之前還包括對所述圓硅片解理形成半圓硅片的步驟。

9.根據權利要求8所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，所述解理包括沿設置在所述圓硅片外緣的V型凹槽所在直徑邊對所述圓硅片進行分解的步驟。

10.根據權利要求9所述的一種半導體圓硅片環狀層錯的測試方法，其特征在于，所述V型凹槽置于所述圓硅片(110)晶向上。