[發(fā)明專利]一種高純石墨烯膜的生產(chǎn)設(shè)備及其制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010548183.6
• 申請(qǐng)日: 2020-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN111547713A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-08-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 柯良節(jié)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 柯良節(jié)
• 主分類號(hào): C01B32/196
• 分類號(hào): C01B32/196
• 代理公司: 深圳市君勝知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 44268
• 代理人: 徐凱凱

1.一種高純石墨烯膜的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，包括密封腔體，設(shè)置在所述密封腔體內(nèi)的承載平臺(tái)以及等離子加熱器，所述承載平臺(tái)用于承載初始石墨烯膜，所述等離子加熱器位于所述承載平臺(tái)的上方并用于對(duì)所述初始石墨烯膜進(jìn)行加熱制得高純石墨烯。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述高純石墨烯膜的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述承載平臺(tái)的兩端均設(shè)置有卷軸，所述卷軸與驅(qū)動(dòng)電機(jī)連接，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)用于驅(qū)動(dòng)所述卷軸旋轉(zhuǎn)。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述高純石墨烯膜的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述初始石墨烯膜粘附在所述承載平臺(tái)表面。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述高純石墨烯膜的生產(chǎn)設(shè)備，其特征在于，所述等離子加熱器的加熱區(qū)寬度大于等于所述初始石墨烯膜的寬度。

5.一種基于權(quán)利要求1-4任一所述生產(chǎn)設(shè)備的高純石墨烯膜制備方法，其特征在于，包括步驟：

將初始石墨烯膜粘附在所述密封腔體內(nèi)的承載平臺(tái)上，并向所述密封腔體內(nèi)通入惰性氣體；

采用所述等離子加熱器對(duì)所述初始石墨烯膜進(jìn)行加熱，使所述初始石墨烯膜內(nèi)的雜質(zhì)氣化，得到純化的高純石墨烯膜。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高純石墨烯膜制備方法，其特征在于，所述采用所述等離子加熱器對(duì)所述初始石墨烯膜進(jìn)行加熱的步驟還包括：

啟動(dòng)驅(qū)動(dòng)電機(jī)，使所述卷軸帶動(dòng)所述承載平臺(tái)以及初始石墨烯膜勻速旋轉(zhuǎn)。

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的高純石墨烯膜的制備方法，其特征在于，所述惰性氣體為氮?dú)?、氬氣、氖氣和氦氣中的一種或多種。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的高純石墨烯膜的制備方法，其特征在于，所述密封腔體為耐高溫密封坩堝。