[發明專利]一種帶旋轉式料架的氧化爐在審
| 申請號: | 202010548129.1 | 申請日: | 2020-06-16 |
| 公開(公告)號: | CN111696898A | 公開(公告)日: | 2020-09-22 |
| 發明(設計)人: | 徐俊 | 申請(專利權)人: | 杭州易正科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 旋轉 式料架 氧化 | ||
本發明公開了一種帶旋轉式料架的氧化爐,包括石英管和石英門,石英管的內壁上固定有加熱絲,石英門的內側壁上成型有凸臺,凸臺插接在石英管內,凸臺的內側端面上成型有圓形的沉臺,沉臺的內壁上成型有環形的卡槽,所述的石英管內插設有旋轉料架;所述石英門的外壁上成型有若干支耳,支耳上插接固定有導向桿,石英管的外壁上成型有若干導向管,導向桿插接在石英管的導向管內。
技術領域
本發明涉及氧化爐的技術領域,更具體地說涉及一種帶旋轉式料架的氧化爐。
背景技術
在電子半導體集成電路工藝中,氧化是必不可少的一項工藝技術。自從早期人們發現硼、磷、砷、銻等雜質元素在SiO2的擴散速度比Si中的擴散速度慢得多,SiO2膜就被大量用在器件生產中作為選擇擴散的掩模,并促進了硅平面工藝的出現。氧化爐制備SiO2膜的過程是Si的一個表面過程,即在氧化爐反應管的高溫環境中放入Si,再通入工藝氣體O2,與Si原子反應在表面進行反應生產SiO2膜,反應溫度越高、時間越長,生長的SiO2膜厚度越厚。但傳統的氧化爐內,其Si以片狀形式存在,即為硅片,硅片安放在料架上,硅片的部分表面會被料架所遮擋,影響硅片的氧化,從而需要出爐后進行反面處理,其氧化處理較為麻煩,需要能設計不會遮擋硅片表面的料架,從而就不需要出爐后再進爐。
發明內容
本發明的目的就是針對現有技術之不足,而提供了一種帶旋轉式料架的氧化爐,其能采用料架能實現承載的硅片進行旋轉,進而不會長時間遮擋硅片的外表面,實現硅片在氧化爐內一次形氧化。
為實現上述目的,本發明采用的技術方案如下:
一種帶旋轉式料架的氧化爐,包括石英管和石英門,石英管的內壁上固定有加熱絲,石英門的內側壁上成型有凸臺,凸臺插接在石英管內,凸臺的內側端面上成型有圓形的沉臺,沉臺的內壁上成型有環形的卡槽,所述的石英管內插設有旋轉料架;所述石英門的外壁上成型有若干支耳,支耳上插接固定有導向桿,石英管的外壁上成型有若干導向管,導向桿插接在石英管的導向管內;
所述的旋轉料架包括圓形的右端板和左端板,左端板插接在石英門的沉臺并成型有環形的擋邊,左端板的擋邊上成型有環形的卡環,卡環插接在卡槽內;右端板和左端板之間插設有兩根定托桿和一個動托桿,定托桿和動托桿的右端分別成型有第二螺柱和第一螺柱,右端板和左端板分別成型有相對并呈圓弧形的右導向槽和左導向槽,動托桿的第一螺柱和定托桿的第二螺柱分別穿過右端板的右導向槽和右端板螺接有螺母;定托桿和動托桿的右端均螺接有螺栓,螺栓插接在左端板上和左端板的左導向槽內;所述動托桿和定托桿上分別成型有若干道相對的第一環槽和第二環槽;所述右端板的中部固定有石英軸,石英軸穿過石英管插套固定有從動齒輪,從動齒輪和主動齒輪相嚙合,主動齒輪插套固定在電機的轉軸上,電機固定在電機支架上,電機支架固定在石英門上。
優選的,所述定托桿上第一環槽的數量和動托桿上第二環槽的數量相等,第一環槽或第二環槽分別呈線性均勻分布在定托桿或動托桿上。
優選的,所述動托桿和定托桿繞右端板的中心軸線呈環形均勻分布,右端板上右導向槽的圓弧圓心或左端板上左導向槽的圓弧圓心均位于右端板的中心軸線。
優選的,所述右端板的中心成型有中心孔,石英管的內端面成型有支撐軸,支撐軸上插套有滑動軸承,滑動軸承插接在右端板的中心孔內。
優選的,所述石英管上導向管的內壁上成型有貫穿導向管外側壁的插槽,插槽內插接有限位桿,限位桿固定在導向桿的后端,所述的導向管上插套有“冂”字形的連接座,連接座的兩端固定在限位桿上,連接座螺接有螺釘,螺釘的末端抵靠在導向管上。
優選的,所述的導向桿設有三根,導向桿繞石英管的中心軸線呈環形均勻分布。
優選的,所述石英門的外端面上固定連接有拉手。
本發明的有益效果在于:其采用料架能實現承載的硅片進行旋轉,進而不會長時間遮擋硅片的外表面,實現硅片在氧化爐內一次形氧化。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





