[發明專利]過壓保護用電流比較電路

在審

• 申請號: 202010547955.4
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN111585550A
• 公開（公告）日: 2020-08-25
• 發明（設計）人: 陳功;練悅星;肖楠;李浩;張濤;魏華;許祎;李蠡;董倩宇
• 申請（專利權）人: 成都信息工程大學
• 主分類號: H03K5/24
• 分類號: H03K5/24;G01R19/165;G01R1/30
• 代理公司: 北京正華智誠專利代理事務所(普通合伙) 11870
• 代理人: 李林合;何凡

1.一種過壓保護用電流比較電路，其特征在于，包括：

電流比較器，用于將電壓輸入信號轉化為電流信號后與基準電流信號進行比較，并輸出初始比較結果信號；

零溫度系數電流源，其耦接于電流比較器的正向輸入側，用于產生基準電流信號；

遲滯比較器，其用于將初始比較結果信號與參考電壓信號進行比較，并輸出最終比較結果信號。

2.根據權利要求1所述的過壓保護用電流比較電路，其特征在于，所述遲滯比較器設置有參考電壓信號端Vref1、Vref2，以及最終比較結果信號端Vout3；所述電流比較器設置有電壓輸入信號端Vin。

3.根據權利要求2所述的過壓保護用電流比較電路，其特征在于，所述零溫度系數電流源、電流比較器以及遲滯比較器均電連接有電源端VDD和接地端GND。

4.根據權利要求3所述的過壓保護用電流比較電路，其特征在于，所述零溫度系數電流源包括NMOS管NM1～NM7、PMOS管PM1～PM10、電阻器R1～R5、三極管Q1～Q2以及電容器C1；

其中，電阻器R1的一端、三極管Q1的發射極、PMOS管PM3的柵極以及PMOS管PM1的漏極電連接；電阻器R1的另一端，三極管Q1的集電極和基極，NMOS管NM1～NM5、NM7的源極，三極管Q2的集電極和基極，以及電阻器R4、R5的一端均與接地端GND連接；PMOS管PM1、PM2、PM5～PM8、PM10的源極均電連接電源端VDD；PMOS管PM1、PM2、PM5～PM7、PM10的柵極，PMOS管PM5的漏極，電容器C1的一端以及NMOS管NM3、NM5的漏極電連接，并作為所述零溫度系數電流源的偏置電壓端；PMOS管PM2的漏極、PM3的源極以及PM4的源極電連接；PMOS管PM3的漏極，NMOS管NM2的柵極，以及NMOS管NM1的漏極和柵極電連接；PMOS管PM4的漏極、NMOS管NM2的漏極、電阻器R2的一端以及NMOS管NM3的柵極電連接；電阻器R2的另一端與電容器C1的另一端電連接；PMOS管PM4的柵極、PMOS管PM6的漏極、電阻器R3的一端以及電阻器R4的另一端電連接；電阻器R5的另一端、PMOS管PM7的漏極以及NMOS管NM4的柵極電連接；PMOS管PM9的源極與PMOS管PM8的柵極和漏極電連接；PMOS管PM9的柵極和漏極、NMOS管NM4的漏極以及NMOS管NM5的柵極電連接；PMOS管PM10的漏極與NMOS管NM6的漏極和柵極電連接，并作為所述零溫度系數電流源的第一基準電流信號端；NMOS管NM6的源極與NMOS管NM7的漏極和柵極電連接，并作為所述零溫度系數電流源的第二基準電流信號端。

5.根據權利要求4所述的過壓保護用電流比較電路，其特征在于，所述電流比較器包括PMOS管PM11、NMOS管NM8、NMOS管NM9以及電容器C2；

其中，PMOS管PM11的柵極與電壓輸入信號端Vin電連接；PMOS管PM11的源極與電源端VDD電連接；NMOS管NM8的柵極作為所述電流比較器的第一正向輸入端，并與所述零溫度系數電流源的第一基準電流信號端電連接；NMOS管NM9的柵極作為所述電流比較器的第二正向輸入端，并與所述零溫度系數電流源的第二基準電流信號端電連接；NMOS管NM8的源極與NMOS管NM9的漏極電連接；NMOS管NM9的源極以及電容器C2的一端均與接地端GND連接；PMOS管PM11的漏極與NMOS管NM8的漏極和電容器C2的另一端電連接，并作為所述電流比較器的初始比較結果信號端Vout1。