[發(fā)明專利]顯示裝置

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010547329.5
• 申請(qǐng)日: 2017-01-18
• 公開（公告）號(hào): CN111653583A
• 公開（公告）日: 2020-09-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 李冠鋒;樂瑞仁;陳逸安;鄭凱;林芳瑩;謝朝樺
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 群創(chuàng)光電股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L27/15
• 分類號(hào): H01L27/15;H01L33/58;H01L33/44
• 代理公司: 北京同立鈞成知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11205
• 代理人: 朱穎;臧建明

1.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

陣列基板；

發(fā)光元件，配置于所述陣列基板上；

絕緣層，配置于所述陣列基板上；以及

遮光層，配置于所述發(fā)光元件的周圍，其中所述遮光層具有上表面，

其中所述絕緣層覆蓋所述遮光層的所述上表面，且在于垂直所述陣列基板的垂直方向上，所述絕緣層配置于所述遮光層與所述發(fā)光元件之間。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件的上表面到所述陣列基板的最大距離與所述遮光層的所述上表面到所述陣列基板的最大距離的差值介于0～5μm之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，配置于所述陣列基板上，其中所述發(fā)光元件包括電極，所述導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述電極電性連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

遮光圖案層，位于對(duì)向基板上，其中所述遮光圖案層的厚度大于所述遮光層的厚度。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述遮光圖案層與所述遮光層之間具有一距離。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述對(duì)向基板還包括第二基板與波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換圖案，其中所述波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換圖案配置于所述第二基板上。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，所述遮光圖案層垂直投影至所述陣列基板的投影面積小于所述絕緣層垂直投影至所述陣列基板的投影面積。

8.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

光學(xué)密封層，配置于所述遮光圖案層與所述遮光層之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

光學(xué)密封層，配置于所述發(fā)光元件上。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述光學(xué)密封層覆蓋所述發(fā)光元件。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件的高度大于所述遮光層的高度。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述發(fā)光元件包括發(fā)光結(jié)構(gòu)，所述發(fā)光結(jié)構(gòu)包括上表面，所述遮光層的所述上表面到所述陣列基板的最大距離大于所述發(fā)光結(jié)構(gòu)的所述上表面到所述陣列基板的最大距離。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

至少兩個(gè)發(fā)光單元，其中每一個(gè)所述發(fā)光單元包含至少一個(gè)所述發(fā)光元件，所述絕緣層覆蓋至少兩個(gè)所述發(fā)光單元。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述遮光層于垂直所述陣列基板方向上的高度介于1μm到20μm之間。

15.一種顯示裝置，其特征在于，包括：

陣列基板；

發(fā)光元件，具有第一電極以及第二電極，配置于所述陣列基板上，其中所述發(fā)光元件具有第一上表面；

遮光層，配置于所述發(fā)光元件的周圍，其中所述遮光層具有第二上表面；

驅(qū)動(dòng)信號(hào)線，配置于所述遮光層上；以及

第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，配置于所述遮光層上，其中所述第一導(dǎo)電結(jié)構(gòu)與所述驅(qū)動(dòng)信號(hào)線屬于同一膜層，

其中所述第一上表面與所述第二上表面在垂直所述陣列基板的方向上具有一距離，且所述距離介于0～5μm之間。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的顯示裝置，其特征在于，還包括：

第二導(dǎo)電結(jié)構(gòu)，配置于絕緣層上。