[發明專利]存儲裝置及其操作方法

在審

• 申請號: 202010547111.X
• 申請日: 2020-06-16
• 公開（公告）號: CN112306905A
• 公開（公告）日: 2021-02-02
• 發明（設計）人: 金榮文;金東民;樸正雨
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社
• 主分類號: G06F12/0871
• 分類號: G06F12/0871;G06F12/02
• 代理公司: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286
• 代理人: 史泉;張川緒

公開了一種存儲裝置及其操作方法。所述存儲裝置包括：非易失性存儲器裝置，包括第一區域、第二區域和第三區域；控制器，從主機裝置接收寫入命令和第一數據，在第一數據與turbo寫入關聯時優先將第一數據寫入第一區域或第二區域中而不是寫入第三區域中，并且在第一數據與正常寫入關聯時將第一數據寫入第一區域、第二區域或第三區域中。控制器基于從主機裝置接收到的策略在第一區域、第二區域和第三區域之間移動第二數據。

本專利申請要求于2019年8月2日在韓國知識產權局提交的第10-2019-0094428號韓國專利申請的優先權，該韓國專利申請的公開內容通過引用被完全包含于此。

技術領域

在此公開的發明構思的實施例涉及一種半導體裝置，更具體地，涉及一種能夠通過使用緩沖區更快地執行寫入操作和讀取操作的存儲裝置以及一種該存儲裝置的操作方法。

背景技術

半導體存儲器可被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置在斷電時丟失存儲在其中的數據，并且包括靜態隨機存取存儲器(SRAM)和動態隨機存取存儲器(DRAM)。非易失性存儲器裝置即使在斷電時仍保留存儲在其中的數據，并且包括閃存裝置、相變RAM(PRAM)、磁性RAM(MRAM)、電阻式RAM(RRAM)或鐵電RAM(FRAM)。

閃存裝置被廣泛地用在計算裝置中用于存儲大量數據。由JEDEC標準定義的通用閃存(UFS)接口可支持比常規的基于閃存的存儲裝置更高的運行速度。

發明內容

發明構思的至少一個實施例提供了一種能夠加速寫入速度和讀取速度的存儲裝置。

根據示例性實施例，一種存儲裝置包括：非易失性存儲器裝置，該非易失性存儲器裝置包括第一區域、第二區域和第三區域；控制器，從主機裝置接收寫入命令和第一數據，在第一數據與turbo寫入關聯時優先將第一數據寫入第一區域或第二區域中而不是寫入第三區域中，并且在第一數據與正常寫入關聯時將第一數據寫入第一區域、第二區域或第三區域中。控制器基于從主機裝置接收到的策略在第一區域、第二區域和第三區域之間移動第二數據。

根據示例性實施例，一種存儲裝置包括：非易失性存儲器裝置，該非易失性存儲器裝置包括被劃分為固定區域和非固定區域的turbo寫入緩沖器以及用戶存儲部；以及控制器，從主機裝置接收寫入命令和第一數據，在第一數據與turbo寫入關聯時優先將第一數據寫入turbo寫入緩沖器中而不是寫入用戶存儲部中，并且在第一數據與正常寫入關聯時將第一數據寫入turbo寫入緩沖器或用戶存儲部中。控制器基于從主機裝置提供的策略來選擇優先級并且基于所選擇的優先級將第二數據從turbo寫入緩沖器移動到用戶存儲部。

根據示例性實施例，一種具有第一區域、第二區域和第三區域的存儲裝置的操作方法包括：從主機裝置接收與第一區域和第二區域關聯的策略；將確認收到該策略的消息傳送到主機裝置；在turbo寫入功能被啟用時，響應于來自主機裝置的寫入命令基于該策略優先將寫入數據寫入第一區域或第二區域中；在turbo寫入功能被禁用時，響應于來自主機裝置的寫入命令將寫入數據寫入第三區域中。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述發明構思的示例性實施例，發明構思將變得顯而易見。

圖1是示出根據發明構思的示例性實施例的存儲系統的框圖。

圖2是示出根據發明構思的示例性實施例圖1中的存儲裝置的物理存儲空間的示圖。

圖3A和圖3B是用于描述圖2的turbo寫入緩沖器類型的示圖。

圖4A和圖4B是用于描述配置圖1中的存儲裝置的turbo寫入緩沖器的示例性模式的示圖。

圖5是示出根據發明構思的示例性實施例圖1的存儲系統的操作的流程圖。

圖6是示出根據發明構思的示例性實施例圖1的存儲系統的操作的流程圖。