[發明專利]晶圓的切割方法

在審

• 申請號: 202010546548.1
• 申請日: 2020-06-15
• 公開（公告）號: CN111489966A
• 公開（公告）日: 2020-08-04
• 發明（設計）人: 邵滋人;李榮;陳瑜;沈玨瑋
• 申請（專利權）人: 紫光宏茂微電子（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/78
• 代理公司: 上海得民頌知識產權代理有限公司 31379
• 代理人: 陳開山

1.一種晶圓的切割方法，其特征在于，包括以下步驟：

S10提供晶圓，所述晶圓包括：電路層和半導體層，所述電路層的上表面設有多條縱向預切痕和多條橫向預切痕，且所述多條縱向預切痕和所述多條橫向預切痕呈井字形交錯設置；

S20利用激光沿所述多條縱向預切痕和所述多條橫向預切痕向晶圓背面進行切割，得到多條縱向切割道和多條橫向切割道，且所述多條縱向切割道和所述多條橫向切割道的深度大于晶圓的最終厚度；

S30在切割后的所述電路層的上表面貼附研磨膠膜層；

S40對貼附有研磨膠膜層的晶圓的背面進行研磨，使晶圓達到最終厚度，從而得到分離的芯片；

S50在研磨后的晶圓的背面貼附膠膜層；

S60通過所述膠膜層將晶圓固定于晶圓架上，去除所述電路層上的研磨膠膜層；

S70利用激光沿所述多條縱向切割道和所述多條橫向切割道切割，將所述膠膜層切斷；

S80在低溫下使芯片與膠膜層分離。

2.根據權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述電路層的材質為低介電常數的材質。

3.根據權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，在所述S40步驟中，具體包括：

S41對貼附有研磨膠膜層的晶圓的背面進行粗磨，直至所述晶圓的厚度到達最終晶圓厚度+60μm；

S42對粗磨后的晶圓的背面進行精磨，直至所述晶圓的厚度到達最終晶圓厚度+20μm；

S43對精磨后的晶圓的背面進行拋光，直至所述晶圓的厚度到達最終晶圓厚度。

4.根據權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述研磨膠膜層為UV膠膜；

所述膠膜層為切割膠帶或藍膜。

5.根據權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述S20步驟中，激光切割的功率為1W～3W。

6.根據權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述S80步驟中，具體包括：將芯片放置于低溫容器中，所述低溫容器的溫度為-20℃～-40℃。

7.根據權利要求1所述的晶圓的切割方法，其特征在于，所述晶圓的最終厚度為35μm～60μm。