[發(fā)明專(zhuān)利]光纖

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 202010546314.7
• 申請(qǐng)日: 2020-06-16
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN112099134A
• 公開(kāi)（公告）日: 2020-12-18
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 川口雄揮;田村欣章;佐久間洋宇;鈴木雅人
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 住友電氣工業(yè)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): G02B6/036
• 分類(lèi)號(hào): G02B6/036;G02B6/02;G02B6/028
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 顧紅霞;龍濤峰

1.一種光纖，包括：

芯部；以及

包層，其包圍所述芯部，

其中，所述包層包括包圍所述芯部的內(nèi)包層以及包圍所述內(nèi)包層的外包層，

所述芯部的相對(duì)折射率差的最大值Δn1max、所述內(nèi)包層的相對(duì)折射率差的最小值Δn2min、以及所述外包層的相對(duì)折射率差的最大值Δn3max滿足關(guān)系：Δn2min＜Δn3max＜Δn1max，并且

在所述包層中，在徑向位置r處的殘余應(yīng)力σ(r)滿足|dσ(r)/dr|≤30MPa/μm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光纖，

其中，在所述包層中，所述殘余應(yīng)力σ(r)滿足公式|dσ(r)/dr|≤20MPa/μm。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光纖，

其中，在1550nm波長(zhǎng)下基模的有效面積為100μm²以上。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的光纖，

其中，光纜截止波長(zhǎng)為1530nm以下。

5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光纖，

其中，在所述芯部的整個(gè)區(qū)域中保持有壓應(yīng)力。

6.根據(jù)權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光纖，

其中，所述芯部含有堿金屬元素或堿土金屬元素。

7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光纖，

其中，在1550nm波長(zhǎng)下傳輸損耗為0.174dB/km以下。

8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光纖，

其中，在1550nm波長(zhǎng)下傳輸損耗為0.164dB/km以下。

9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的光纖，

其中，在1550nm波長(zhǎng)下傳輸損耗為0.154dB/km以下。

10.一種光纖，包括：

芯部；以及

包層，其包圍所述芯部，

其中，所述包層包括包圍所述芯部的內(nèi)包層以及包圍所述內(nèi)包層的外包層，

所述芯部的相對(duì)折射率差的最大值Δn1max、所述內(nèi)包層的相對(duì)折射率差的最小值Δn2min、以及所述外包層的相對(duì)折射率差的最大值Δn3max分別滿足關(guān)系：-0.15％Δn1max0.05％，-0.5％Δn2min-0.2％，并且0.02％Δn3max-Δn2min0.2％，

所述芯部和所述內(nèi)包層含有堿金屬元素或堿土金屬元素，

所述外包層不含有堿金屬元素和堿土金屬元素，

所述內(nèi)包層和所述外包層中所述相對(duì)折射率差相對(duì)于徑向的導(dǎo)數(shù)的絕對(duì)值為0.2％/μm以下，并且

在所述包層中，在徑向位置r處的殘余應(yīng)力σ(r)滿足|dσ(r)/dr|≤30MPa/μm。